chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是雪崩擊穿 雪崩失效電流路徑示意圖

麥辣雞腿堡 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-02-23 17:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超過(guò)一定的臨界值時(shí),會(huì)突然有大量電流流過(guò)原本應(yīng)當(dāng)阻止電流流動(dòng)的PN結(jié)。這種不受控制的電流流動(dòng)會(huì)導(dǎo)致器件損壞,除非通過(guò)外部電路限制電流。

當(dāng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的漏源電壓超過(guò)其絕對(duì)最大額定值BVDSS時(shí),器件將發(fā)生擊穿。在高電場(chǎng)作用下,自由電子獲得加速并攜帶足夠能量,引發(fā)碰撞電離,這個(gè)過(guò)程導(dǎo)致電子-空穴對(duì)的生成。

隨著這些新生成的載流子在電場(chǎng)中被加速并獲得能力產(chǎn)生更多電子-空穴對(duì),載流子數(shù)量以雪崩效應(yīng)的形式急劇增加,這一現(xiàn)象被稱作“雪崩擊穿”。

在這期間,與MOSFET內(nèi)部寄生二極管的正常電流方向相反的電流被稱為“雪崩電流IAS”,這種電流可能對(duì)器件造成損壞,因此在器件設(shè)計(jì)和電路應(yīng)用中需要特別注意防止雪崩擊穿的發(fā)生。

雪崩擊穿的特點(diǎn)包括:

電壓閾值:每個(gè)PN結(jié)都有一個(gè)特定的擊穿電壓,當(dāng)外加電壓超過(guò)這個(gè)值時(shí),雪崩擊穿可能發(fā)生。

溫度依賴性:隨著溫度的升高,雪崩擊穿電壓通常會(huì)降低,因?yàn)楦叩臏囟纫馕吨嗟妮d流子和更大的載流子運(yùn)動(dòng)性。

載流子倍增:雪崩擊穿涉及載流子的倍增過(guò)程,其中每個(gè)載流子都有可能通過(guò)碰撞電離產(chǎn)生新的載流子。

破壞性:如果不加以控制,雪崩擊穿會(huì)導(dǎo)致器件損壞,因?yàn)樗鼤?huì)引起大量的電流流過(guò)器件,產(chǎn)生過(guò)熱。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    7176

    瀏覽量

    137528
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29581

    瀏覽量

    252212
  • 雪崩擊穿
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    25

    瀏覽量

    7972
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

    當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后,芯片最終會(huì)損壞,然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩失效機(jī)理并不相同。
    的頭像 發(fā)表于 02-25 15:48 ?6650次閱讀
    MOSFET<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>擊穿</b>圖解 MOSFET避免<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>失效</b>的方法

    什么是擊穿?雪崩擊穿和齊納擊穿有什么區(qū)別?

    在了解雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別之前我們還是要先搞懂什么叫擊穿!擊穿就是電介質(zhì)在足夠高的電場(chǎng)強(qiáng)度作用下瞬間失去介電功能的現(xiàn)象。是電介質(zhì)
    發(fā)表于 03-27 10:15

    氯離子結(jié)構(gòu)示意圖和鈉離子結(jié)構(gòu)示意圖

    氯離子結(jié)構(gòu)示意圖和鈉離子結(jié)構(gòu)示意圖
    發(fā)表于 05-28 22:34 ?5.7w次閱讀
    氯離子結(jié)構(gòu)<b class='flag-5'>示意圖</b>和鈉離子結(jié)構(gòu)<b class='flag-5'>示意圖</b>

    電腦鍵盤示意圖,計(jì)算機(jī)鍵盤示意圖

    電腦鍵盤示意圖,計(jì)算機(jī)鍵盤示意圖
    發(fā)表于 03-10 10:51 ?12.8w次閱讀

    飛機(jī)示意圖

    飛機(jī)示意圖
    發(fā)表于 05-26 15:47 ?2471次閱讀

    功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

    功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析 摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
    發(fā)表于 07-06 13:49 ?6623次閱讀
    功率MOSFET<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>擊穿</b>問(wèn)題分析

    失會(huì)聚示意圖

    失會(huì)聚示意圖
    發(fā)表于 07-31 12:13 ?1230次閱讀

    雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思

    雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思 在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。這樣,通過(guò)空
    發(fā)表于 02-27 11:49 ?3777次閱讀

    MOSFET的失效機(jī)理:什么是雪崩失效

    式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間,與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流
    發(fā)表于 02-13 09:30 ?3122次閱讀
    MOSFET的<b class='flag-5'>失效</b>機(jī)理:什么是<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>失效</b>

    什么是MOSFET雪崩失效

    什么是雪崩失效
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:37 ?1227次閱讀
    什么是MOSFET<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>失效</b>

    什么是雪崩擊穿?單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同?

    什么是雪崩擊穿?單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩有何不同?雪崩擊穿失效
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:15 ?4222次閱讀

    雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別有哪些

    ,半導(dǎo)體材料中的載流子在晶格中發(fā)生碰撞,產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì),這些電子-空穴對(duì)又會(huì)繼續(xù)與晶格中的原子發(fā)生碰撞,產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì),形成一個(gè)正反饋過(guò)程,最終導(dǎo)致半導(dǎo)體材料中的電流急劇增加,形成雪崩擊穿現(xiàn)象。 電壓特
    的頭像 發(fā)表于 12-30 17:06 ?2.7w次閱讀
    <b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>擊穿</b>和齊納<b class='flag-5'>擊穿</b>區(qū)別有哪些

    雪崩擊穿的概念 如何區(qū)別齊納擊穿雪崩擊穿 雪崩擊穿是可逆的嗎?

    雪崩擊穿的概念 如何區(qū)別齊納擊穿雪崩擊穿 雪崩擊穿
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:12 ?5114次閱讀

    功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

    雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱為
    的頭像 發(fā)表于 08-15 16:29 ?4165次閱讀
    功率器件<b class='flag-5'>雪崩</b><b class='flag-5'>擊穿</b>的工作原理和<b class='flag-5'>失效</b>機(jī)理

    雪崩失效和過(guò)壓擊穿哪個(gè)先發(fā)生

    在電子與電氣工程領(lǐng)域,雪崩失效與過(guò)壓擊穿是兩種常見(jiàn)的器件失效模式,它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同
    的頭像 發(fā)表于 01-30 15:53 ?1039次閱讀