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差分探頭畸變指標(biāo)(過沖)對(duì)實(shí)測(cè)開關(guān)電源MOS管DS極電壓的影響

PRBTEK ? 來(lái)源:PRBTEK ? 作者:PRBTEK ? 2024-02-28 10:05 ? 次閱讀
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上面我們講解過畸變這個(gè)指標(biāo),差分探頭的輸入線很長(zhǎng),容易產(chǎn)生振蕩,產(chǎn)生過沖,所以這個(gè)指標(biāo)在設(shè)計(jì)時(shí)也非常關(guān)鍵,不同廠家這個(gè)指標(biāo)可能相差很遠(yuǎn),造成測(cè)量時(shí)誤差很大!測(cè)量MOS管的DS極間電壓可能相差幾十V以上,下面我們將實(shí)例分析,我們以CYBERTEK公司的DP6130A和P5200做實(shí)例對(duì)比!先測(cè)標(biāo)準(zhǔn)的1MHz方波信號(hào),看輸出波形:

wKgZomXelNOAESPGAAFNOKK-fco42.jpeg

圖1 DP6130A實(shí)測(cè)1MHz方波波形系統(tǒng)

wKgZomXelNSAXZzFAACw9bjWTWc98.jpeg

圖2 1MHz方波波形 過沖很小

wKgZomXelNSAE9ErAAF7Ao8M5Ac42.jpeg

圖3 P5200實(shí)測(cè)1MHz方波波形系統(tǒng),過沖相當(dāng)嚴(yán)重!

wKgaomXelNWAd53tAADuAxx2k5c98.jpeg

圖4 P5200實(shí)測(cè)1MHz方波 看到過沖達(dá)到45%左右

現(xiàn)在我們來(lái)看實(shí)際測(cè)量開關(guān)電源MOS管DS極間波形:

wKgZomXelNWAcGXAAAFks1xwN9Q26.jpeg

圖5 差分探頭實(shí)測(cè)波形對(duì)比系統(tǒng)

wKgaomXelNaAcTsCAAE6g17q70011.jpeg

圖6 測(cè)試點(diǎn)特寫

wKgZomXelNaAXPyaAAFQ4LmAFOs30.jpeg

圖7 實(shí)測(cè)波形,黃線為DP6130A,紅線為P5200

從上面波形可以看到,實(shí)測(cè)值相差103V,P5200過沖相當(dāng)嚴(yán)重,這在測(cè)試1MHz方波時(shí)得到了驗(yàn)證,說(shuō)明了畸變(過沖)指標(biāo)對(duì)測(cè)量的重要性!當(dāng)然并不是說(shuō)測(cè)到的值越小越好,如果探頭的帶寬不滿足要求,測(cè)量值自然偏小,有些尖峰捕捉不大,DP6130A帶寬高達(dá)100MHz,在開關(guān)電源領(lǐng)域里基本滿足要求。

審核編輯 黃宇

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