存儲器巨頭美光公司于今年MWC盛會上推出多款新品，包括UFS 4.0和HBM3E。公司副總裁兼行動業(yè)務(wù)部門首席執(zhí)行官蒙提斯在接受本報專訪時預(yù)計，明年將成為存儲器產(chǎn)業(yè)的好年景，美光將迎戰(zhàn)新市場機(jī)遇，未來幾個季度的業(yè)績令人期待。

美光展示了豐富的新產(chǎn)品信息，眾多高管拜訪了參展的制造商。對于今年存儲器行業(yè)的預(yù)測，蒙提斯表示，由于AI技術(shù)如火如荼地發(fā)展以及硬件規(guī)格的升級，存儲器行業(yè)將繼續(xù)保持增長勢頭。特別是邊緣設(shè)備的智慧型手機(jī)應(yīng)用有望增加，進(jìn)而激發(fā)消費(fèi)者換新手機(jī)的欲望。

他指出，無論是云計算還是邊緣運(yùn)算，美光均已開發(fā)新的產(chǎn)品，包括LPDDR5x、UFS 4.0及HBM3E，這些產(chǎn)品均能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售。隨著AI新技術(shù)的進(jìn)展，存儲器產(chǎn)業(yè)料將前景廣闊，美光運(yùn)營業(yè)績值得期待。

美光宣布推出新型相關(guān)產(chǎn)品UFS 4.0和HBM3E，其中UFS 4.0使用232層3D NAND Flash制成，擁有當(dāng)前全球最為精細(xì)的UFS封裝，內(nèi)存最大容量高達(dá)1TB，目前正處于送審階段。

對于市場主流的UFS規(guī)格，雖然依然保持在UFS 2.3到UFS 3.0之間，但在AI與其它新興技術(shù)驅(qū)動下，邊緣設(shè)備采用的UFS規(guī)格將會不斷升級。而美光作為技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，始終在推進(jìn)市場前沿，即使UFS 5.0規(guī)范尚未問世，美光亦已做好提前布局的準(zhǔn)備。

此外，關(guān)于高速存儲器HBM3E，他解釋道，早前公司曾發(fā)布混合存儲器立方體（HMC），對此類存儲器產(chǎn)品已有超過十年的研發(fā)經(jīng)驗，雖然HBM3E生產(chǎn)難度極高，但研制人員已經(jīng)解決該問題。