近日，首個膠體量子點成像芯片在光谷實驗室研發(fā)成功，其具備優(yōu)異性能。該芯片已能實現(xiàn)短波紅外成像，面陣規(guī)模達到30萬，盲元率低于每十萬個像素中只有6個因素導致信號丟失，圖像波長范圍為0.4至1.7微米，暗電流密度小于50納安每平方厘米，而外部量子效率超過了60%。這一研發(fā)成就體現(xiàn)出中國光谷在先進科技領域的強大實力和創(chuàng)新能力。

據(jù)悉，該項目負責人表示，該新型成像芯片的優(yōu)勢在于圖像分辨率高（理論上像素尺寸僅受限于艾利斑直徑），適用于多種基底，可定制探測波段，不再受到襯底吸收影響，且可以進行大規(guī)模生產，并兼容12英寸CMOS晶圓制備工藝，生產成本較低，具顛覆市場之勢。

該研究團隊經過四年艱苦奮戰(zhàn)（全力攻關量子點技術），利用低溫溶液法制備工藝，成功開發(fā)出能與硅基芯片集成的量子點短波紅外成像芯片，其探測波段范圍遠勝過傳統(tǒng)銦鎵砷芯片，制造成本僅占后者的近百分之一。這種巨大的價格優(yōu)勢，讓量子點芯片有望在新市場領域大展拳腳。