3 月 7 日報道，SK 海力士為了保持在高帶寬內(nèi)存（HBM）存儲芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢，預(yù)計到 2024 年投資超 10 億美元以增強韓國境內(nèi)的測試和封裝實力。預(yù)估消息顯示，SK 海力士今年總額將達 105 億美元的資本支出。

彭博社表示，測試和封裝在總費用中的占比達到了 10%，足見 SK 海力士對該業(yè)務(wù)的重視程度。IT之家進一步披露，此項任務(wù)交給了 Lee Kang-Wook 負責，他擁有豐富的經(jīng)驗，曾在三星電子任職期間，擅長將多種半導(dǎo)體材料融合并開發(fā)新型互聯(lián)技術(shù)。

Lee Kang-Wook的觀點是，未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 50 年將關(guān)注芯片封裝技術(shù)，結(jié)束長期依賴硅加工相關(guān)組件的階段。他效力于 HBM2E 內(nèi)存芯片包裝技術(shù)的研發(fā)，正是此處的技藝精湛，使 SK 海力士成為英偉達的重要AI芯片供應(yīng)商。

值得注意的是，Lee Kang-Wook早在 2002 年起便領(lǐng)導(dǎo)堆疊半導(dǎo)體元件層間互連技術(shù)的研發(fā)。在此過程中，他打造出的技術(shù)為此后 HBM 內(nèi)存芯片的問世鋪平道路，最新的 HBM 內(nèi)存芯片由 12 個堆積層垂直相連。

據(jù)了解，2013 年向市場推出 HBM 的 SK hynix 以及 AMD，在此后的兩年時間里一直獨樹一幟，直至 2015 年年末，三星才推出 HBM2。而現(xiàn)在，SK hynix正聯(lián)合日本企業(yè)共同開發(fā)更先進的 HBM 存儲器芯片的垂直互連技術(shù)。二月底，三星宣稱已經(jīng)成功研發(fā) 12 層 HBM3E 芯片，單個堆棧最高可提供 36GB 的內(nèi)存。與此同時，美光科技亦公布 8 層 HBM3E 內(nèi)存，單個堆棧容量達 24GB。