據(jù)天眼查信息披露，美新半導(dǎo)體（無錫）有限公司近期成功獲得了一項名為“一種單芯片單軸或多軸磁阻傳感器及其制造方法”的專利。這項專利的授權(quán)公告號是CN108574042B，公告日期定在了2024年3月12日，專利申請日則早在2018年6月12日就已經(jīng)提出。

該專利的概述指出，該項創(chuàng)新應(yīng)用于單芯片單軸或多軸磁阻傳感器的制造方法中。如此設(shè)計的磁阻傳感器包括：一個集成電路晶圓；晶圓之上的鈍化層；通過鈍化層上設(shè)置的第一通孔連接至傳感器的金屬連線；介質(zhì)層，其上呈現(xiàn)出斜坡效果；穿透介質(zhì)層的第二通孔部分露出底層集成電路中的金屬連接；通過介質(zhì)層表面的磁性感應(yīng)薄膜圖樣構(gòu)成的感應(yīng)磁阻圖形，以及第二通孔內(nèi)部用于保護金屬連接的磁性感應(yīng)薄膜；此外，還設(shè)計了連接傳感器和集成電路的傳感器互連金屬層圖形。與現(xiàn)行技術(shù)相比，這種創(chuàng)新方式更有效地降低了連接集成電路和磁阻傳感器之間的孔接觸電阻。