下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動(dòng)電子、電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動(dòng)力

加利福尼亞州托倫斯2024年3月13日訊— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺(tái)。

納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast和GeneSiC應(yīng)用及解決方案，包括：

功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)

高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)

氮化鎵大功率旗艦—GaNSafe寬禁帶平臺(tái)

本次展會(huì)上，納微半導(dǎo)體將聯(lián)手綠聯(lián)，展出多款搭載了納微GaNFast氮化鎵功率芯片的綠聯(lián)氮化鎵充電器，包括爆款30W和65W Q湃機(jī)器人海外版、磁吸100W數(shù)碼能量站以及大功率300W桌面充電站。同時(shí)，納微還將展出其他筆記本電腦、智能手機(jī)配備的氮化鎵充電器，觀眾可前往納微展臺(tái)親身體驗(yàn)如閃電般迅速的GaNFast快充動(dòng)力。

納微半導(dǎo)體的技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理胡燁，將在3月22日同期舉辦的2024世界氮化鎵大會(huì)上，帶來《開啟氮化鎵的“芯”篇章：納微集成驅(qū)動(dòng)和無損電流采樣的GaNSense HalfBridge方案》的主題演講。

亞洲充電展將于2024年3月20-22日在深圳市福田會(huì)展中心6號(hào)館盛大舉辦，納微誠邀您參觀展位號(hào)為B57-B60的“納微芯球”展臺(tái)，探索下一代功率半導(dǎo)體的強(qiáng)大之處。經(jīng)驗(yàn)豐富的納微銷售和應(yīng)用團(tuán)隊(duì)及經(jīng)銷商將為您提供各項(xiàng)技術(shù)支持。