GBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V，而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT最主要的作用就是把高壓直流變?yōu)榻涣?，以及變頻（所以用在電動(dòng)車(chē)上比較多）。

IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

MOSFET與IGBT在線性區(qū)之間存在差異（紅框所標(biāo)位置）。

這主要是由于IGBT在導(dǎo)通初期，發(fā)射極P+/N-結(jié)需要約為0.7V的電壓降使得該結(jié)從零偏轉(zhuǎn)變?yōu)檎鶎?dǎo)致的。

igbt導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件的區(qū)別

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）的導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件有一些重要的區(qū)別：

1. 導(dǎo)通條件：

- 在導(dǎo)通狀態(tài)下，IGBT的柵極與發(fā)射極之間施加正電壓（通常為正向電壓），使得柵結(jié)區(qū)域形成導(dǎo)電通道，從而允許電流通過(guò)。當(dāng)柵極正向電壓足夠大以打開(kāi)IGBT時(shí)，器件開(kāi)始導(dǎo)通。

- 通常，IGBT的導(dǎo)通狀態(tài)下，集電極-發(fā)射極間的電壓低于最大額定電壓（VCE(max)），而集電極電流處于最大額定電流IC(max)）之內(nèi)。

2. 關(guān)斷條件：

- 在關(guān)斷狀態(tài)下，柵極與發(fā)射極之間的電壓被降低到足夠低的水平，或者施加反向電壓。這樣做可以使柵結(jié)區(qū)域失去導(dǎo)電能力，從而切斷電流通過(guò)。當(dāng)柵極被拉低到足夠低的電壓或者施加反向電壓時(shí)，IGBT開(kāi)始關(guān)斷。

- 關(guān)斷狀態(tài)下，集電極-發(fā)射極之間的電壓通常高于最大額定電壓（VCE(max)），而且器件電流接近于零。

導(dǎo)通狀態(tài)下，IGBT允許電流通過(guò)，而關(guān)斷狀態(tài)下，IGBT切斷電流。導(dǎo)通和關(guān)斷之間的切換是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的，以控制器件的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。

igbt可以反向?qū)▎?/strong>