德州儀器正在將其多個(gè)工廠(chǎng)的氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達(dá)拉斯和日本會(huì)津的8英寸晶圓準(zhǔn)備設(shè)備，這將使其能夠提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的氮化鎵芯片。 自2022年以來(lái)，人們普遍認(rèn)為氮化鎵芯片比碳化硅（SiC）芯片更昂貴，但這一情況已經(jīng)發(fā)生了逆轉(zhuǎn)。

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Part 1

德州儀器的GaN解決方案

GaN功率器件是可以實(shí)現(xiàn)高電子遷移率的晶體管（HEMT）。HEMT是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），與同等尺寸的硅功率晶體管相比，HEMT具有更低的導(dǎo)通電阻和更快的開(kāi)關(guān)速度。這一優(yōu)勢(shì)使得功率轉(zhuǎn)換更加節(jié)能且節(jié)省空間。在硅襯底上生長(zhǎng)的GaN模塊還可以利用現(xiàn)有的硅制造能力。

功率HEMT廣泛應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)基站等領(lǐng)域，并且其可靠性經(jīng)過(guò)驗(yàn)證。

德州儀器的GaN解決方案具備高效率、功率密度和可靠性的特性，TI的GaN產(chǎn)品組合包括控制器、驅(qū)動(dòng)器和穩(wěn)壓器，通過(guò)端到端功率轉(zhuǎn)換和5MHz的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低功耗。

通過(guò)提高功率密度、最大化dV/dt抗擾度以及優(yōu)化驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，TI的GaN解決方案可以降低噪聲并提高效率。

例如，使用LMG3410 600V GaN功率級(jí)供電的高電壓、高效率PFC和LLC參考設(shè)計(jì)，以及使用LMG5200 80V GaN功率級(jí)的多級(jí)48V功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。

TI的GaN生態(tài)系統(tǒng)支持新穎獨(dú)特的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，同時(shí)減少了設(shè)計(jì)障礙。模擬和數(shù)字GaN FET控制器與TI的GaN功率級(jí)和分立GaN FET無(wú)縫配對(duì)，為工程師提供了更靈活、高效的設(shè)計(jì)選擇。

Part 2

氮化鎵芯片的價(jià)格

氮化鎵芯片的價(jià)格低于其SiC對(duì)手，而德州儀器在達(dá)拉斯和會(huì)津的工廠(chǎng)轉(zhuǎn)換完成后，將能夠提供更便宜的解決方案。

TI正在將其6英寸晶圓工廠(chǎng)轉(zhuǎn)換為8英寸，然后再將8英寸工廠(chǎng)轉(zhuǎn)換為12英寸。更大的晶圓意味著更多的芯片，這將為公司帶來(lái)生產(chǎn)效率的提升。預(yù)計(jì)達(dá)拉斯工廠(chǎng)的升級(jí)將在2025年完成，會(huì)津工廠(chǎng)的時(shí)間表還沒(méi)有透露。

德州儀器的這一舉措可能導(dǎo)致氮化鎵芯片的整體價(jià)格下降，其功率管理IC的生產(chǎn)從8英寸轉(zhuǎn)換為12英寸時(shí)，芯片的價(jià)格在整個(gè)行業(yè)范圍內(nèi)下降了。轉(zhuǎn)換為8英寸預(yù)計(jì)將使德州儀器節(jié)省成本超過(guò)10％。

TI還推出了其100V GaN LMG2100R044和LMG3100R017芯片，其功率密度為1.5kW/in3。

小結(jié)

功率半導(dǎo)體的價(jià)格變化在不斷往下走。



審核編輯：劉清