近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。

據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺積電退出GaN市場的原因主要與中國大陸市場的低價競爭有關(guān)。近年來，隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和應(yīng)用需求的增長，許多廠商紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致價格競爭加劇。面對不斷上升的價格壓力，臺積電選擇停止承接低利潤的GaN訂單，這一策略將使其能夠?qū)①Y源重新分配至更具增長潛力和競爭力的業(yè)務(wù)領(lǐng)域。

氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，因其出色的電氣性能和更高的功率密度而被廣泛應(yīng)用于快速充電、射頻和電力電子等領(lǐng)域。盡管臺積電在GaN技術(shù)領(lǐng)域具有強(qiáng)大的制造能力，但公司管理層顯然認(rèn)為在當(dāng)前的市場環(huán)境下，繼續(xù)投入資源并不具備戰(zhàn)略意義。

與此同時，力積電(Lite-On Technology)已與Navitas達(dá)成合作，計劃接手臺積電的相關(guān)氮化鎵訂單。這一合作預(yù)計將幫助力積電擴(kuò)大其在GaN市場的份額。根據(jù)協(xié)議，Navitas將其100V至650V的GaN產(chǎn)品組合逐步轉(zhuǎn)移至力積電的8寸產(chǎn)線生產(chǎn)。Navitas表示，力積電的0.18微米制程技術(shù)將有助于提升GaN器件的功率密度、速度和效率，從而優(yōu)化成本控制與生產(chǎn)良率。這一轉(zhuǎn)變不僅有助于提升力積電在氮化鎵領(lǐng)域的競爭力，也為客戶提供了更多可靠的產(chǎn)品選擇。

業(yè)內(nèi)分析人士指出，臺積電的這一決定體現(xiàn)了其靈活應(yīng)對市場變化的能力。在面對激烈競爭和利潤壓力時，企業(yè)需要及時調(diào)整戰(zhàn)略，以保持其在更具潛力的領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。氮化鎵市場雖然前景廣闊，但對于臺積電而言，可能更為重要的是集中精力在其核心競爭力更為突出的技術(shù)領(lǐng)域，比如先進(jìn)制程技術(shù)和高效能計算。

另一方面，隨著臺積電退出GaN市場，力積電的崛起將為國內(nèi)外客戶提供新的供應(yīng)選擇。力積電在光電、LED和電源管理等領(lǐng)域已有扎實的技術(shù)積累，此次進(jìn)入GaN市場也將進(jìn)一步增強(qiáng)其在半導(dǎo)體行業(yè)的綜合實力。

此外，氮化鎵技術(shù)的未來發(fā)展仍然值得關(guān)注。隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車等新興應(yīng)用的快速發(fā)展，市場對高效能、高密度GaN器件的需求將持續(xù)上升。盡管臺積電的退出可能會造成短期內(nèi)市場格局的變化，但從長遠(yuǎn)來看，GaN市場仍然具有廣闊的發(fā)展?jié)摿Α?/p>