(電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹）近期，存儲(chǔ)大廠走出寒冬，好消息不斷。海外媒體報(bào)道，Nvidia 計(jì)劃采購(gòu)三星的 AI 處理器用高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，三星電子公司股價(jià)創(chuàng)下六個(gè)多月以來(lái)的最大漲幅，三星公司表示，其 HBM 銷(xiāo)售額在2023年12月份季度增長(zhǎng)了 40% 以上，內(nèi)存需求出現(xiàn)復(fù)蘇跡象。另外一家存儲(chǔ)大廠美光發(fā)布最新財(cái)報(bào)，得益于人工智能硬件需求增加，截止2月29日，美光科技第二財(cái)季營(yíng)收58.2億美元，同比增長(zhǎng)約57.7%，增速遠(yuǎn)超第一財(cái)季的15.6%，高于分析師預(yù)期的53.6億美元。

3月20日，2024年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)CFMS在深圳前海華僑城JW萬(wàn)豪酒店盛大召開(kāi)，三星、SK海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等內(nèi)存大廠高管紛紛發(fā)表重磅演講，深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司總經(jīng)理邰煒先生帶來(lái)了《存儲(chǔ)周期 激發(fā)潛能》的主題演講，分享2023年存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)和2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格和主要應(yīng)用市場(chǎng)產(chǎn)品走向。

圖：深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司總經(jīng)理邰煒

2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)42%，NAND Flash與DRAM容量需求變化

邰煒指出，存儲(chǔ)的市場(chǎng)規(guī)模在經(jīng)歷了兩年的下滑后，今年開(kāi)始重新回到正軌，在加上先進(jìn)技術(shù)以及新興市場(chǎng)的應(yīng)用，預(yù)計(jì)今年市場(chǎng)規(guī)模相比去年將提升至少42%以上。

從存儲(chǔ)產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)看，2024年，NAND FLASH將超過(guò)8000億GB單量，相比去年增長(zhǎng)20%，DRAM預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)15%，將達(dá)到2370億GB單量。

從原廠的利潤(rùn)率來(lái)看，在去年Q1觸底后，截止到去年四季度都有可觀的業(yè)績(jī)改善。記者獲悉，美光科技業(yè)績(jī)?cè)诘诙?cái)季已經(jīng)比去年同期獲得57%的增長(zhǎng)，2024年第1季三星電子（Samsung Electronics）營(yíng)業(yè)利益預(yù)估平均值上看4.7兆韓元（約35億美元），SK海力士也呈現(xiàn)增長(zhǎng)信號(hào)。國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)看好QLC NAND的增長(zhǎng)前景。

邰煒表示，2023年全球NAND Flash供應(yīng)商的市占率排名中，三星第一，市場(chǎng)份額33%，SK海力士、鎧俠、WDC和美光分別位列第二到第五，市場(chǎng)份額分別為18.2%、17.8%、15%、11%。2023年全球DRAM供應(yīng)商市占率排名出爐，三星高達(dá)41%，位居第一，SK海力士、美光分別列第二到第三，市場(chǎng)份額分別為32%、23%。

三星、SK海力士、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等存儲(chǔ)芯片原廠在市場(chǎng)份額的競(jìng)爭(zhēng)上從未停歇，尤其在高利潤(rùn)的產(chǎn)品線上，各家都會(huì)積極推進(jìn)新技術(shù)的發(fā)展，令整個(gè)產(chǎn)業(yè)保持持續(xù)向上的發(fā)展。

AI技術(shù)和應(yīng)用，激發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品從架構(gòu)到制程上的變革

從現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格看，2023年三季度開(kāi)始三星等存儲(chǔ)芯片原廠減產(chǎn)并強(qiáng)勢(shì)拉漲價(jià)格，價(jià)格迎來(lái)全面反彈，今年第一季度再次大漲。 2024年隨著NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)，供應(yīng)商的庫(kù)存水位也開(kāi)始逐步降低。

邰煒預(yù)測(cè)，今年后續(xù)三個(gè)季度的價(jià)格將保持平穩(wěn)向上的趨勢(shì)。他指出，存儲(chǔ)是一個(gè)周期性的行業(yè)，回顧2019-2023這一輪周期變化，經(jīng)歷了供過(guò)于求-疫情-缺貨-庫(kù)存-超跌等等，最后以原廠主動(dòng)減產(chǎn)結(jié)束。吸取以往發(fā)展過(guò)程的教訓(xùn)，展望2024年到2026年，原廠和應(yīng)用廠商聚焦新技術(shù)和AI應(yīng)用來(lái)激發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品成長(zhǎng)的潛能。

從制程上看，首先在NAND FLASH堆疊技術(shù)上，各大原廠繼續(xù)推進(jìn)更高堆疊的產(chǎn)品，三星和美光最積極，預(yù)估兩家原廠于今年第四季時(shí)，200層以上的產(chǎn)品會(huì)達(dá)到40%，今年不少?gòu)S商已經(jīng)朝300層推進(jìn)，意味著閃存產(chǎn)品的容量將繼續(xù)提高。

從架構(gòu)上看，鍵合技術(shù)開(kāi)始逐步進(jìn)入主流，它具備兩大優(yōu)勢(shì)：一是這種架構(gòu)的產(chǎn)品隨著堆疊層數(shù)的提升，成本將更具有優(yōu)勢(shì)；二、鍵合技術(shù)技術(shù)架構(gòu)可以將更多特性設(shè)計(jì)到NAND FLASH里，有利于產(chǎn)品創(chuàng)新。

他還指出，隨著更多的產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)的容量要求日趨增大，預(yù)計(jì)今年QLC的應(yīng)用將開(kāi)始加速，除了傳統(tǒng)的SSD產(chǎn)品上，其他的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)㈤_(kāi)始得到全面的擴(kuò)展。

在DRAM領(lǐng)域，DRAM技術(shù)全面進(jìn)入EUV時(shí)代。三星在2021年和2022年采用1a nmEUV，2023年采用1b nm EUV，2024年預(yù)計(jì)將采用1c nm EUV推出全新DRAM產(chǎn)品。

存儲(chǔ)芯片在三大應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，汽車(chē)成為存儲(chǔ)潛力增長(zhǎng)市場(chǎng)

從行業(yè)應(yīng)用來(lái)看，2024年P(guān)C、服務(wù)器、手機(jī)對(duì)內(nèi)存的需求占比不同，但是2024年三大核心應(yīng)用已基本上突破了黑暗期， 隨著AI手機(jī)、AI PC、AI服務(wù)器需求持續(xù)轉(zhuǎn)暖，這三大領(lǐng)域終端的成長(zhǎng)帶動(dòng)相配套的存儲(chǔ)的產(chǎn)品增長(zhǎng)。此外，以汽車(chē)為代表的新興市場(chǎng)也在快速增加。

CFM閃存市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2024年手機(jī)存儲(chǔ)需求同比去年增長(zhǎng)4%，PC市場(chǎng)存儲(chǔ)需求同比增長(zhǎng)8%，服務(wù)器市場(chǎng)存儲(chǔ)需求同比增長(zhǎng)4%。

在智能手機(jī)市場(chǎng)，手機(jī)UFS市占率進(jìn)一步提升，UFS4.0增長(zhǎng)更加顯著。高端機(jī)型已經(jīng)基本上進(jìn)入512G以及TB時(shí)代，預(yù)計(jì)今年的手機(jī)平均容量將超過(guò)200G，在內(nèi)存上快速想更高性能的LPDDR5演進(jìn)，預(yù)計(jì)全年DRAM平均容量將超過(guò)7G。

AI手機(jī)已經(jīng)成為手機(jī)新的增長(zhǎng)點(diǎn)，16G的 DRAM將是AI手機(jī)的最低配置，后續(xù)將有力的推動(dòng)手機(jī)存儲(chǔ)再升級(jí)。

在PC市場(chǎng)，去年整機(jī)需求下降導(dǎo)致消費(fèi)類(lèi)SSD需求下滑，今年隨著存儲(chǔ)價(jià)格下跌，大容量SSD的高性?xún)r(jià)受到市場(chǎng)關(guān)注，SSD迎來(lái)了價(jià)格甜蜜點(diǎn)，去年1TB PCIe4.0已基本是PC市場(chǎng)的主流配置。

在PC DRAM方面，由于更輕薄、長(zhǎng)續(xù)航以及LPCAMM新形態(tài)產(chǎn)品在PC上的應(yīng)用發(fā)展，預(yù)計(jì)LPDDR5將迎來(lái)迅速發(fā)展。隨著新處理器平臺(tái)的導(dǎo)入DDR5在2024年P(guān)C上的應(yīng)用會(huì)明顯增加。

AI PC預(yù)計(jì)到2024年會(huì)迎來(lái)應(yīng)用的破局，與傳統(tǒng)PC不同，AI PC最重要的是嵌入了AI芯片，形成“CPU+GPU+NPU”的異構(gòu)方案。可以支持本地化AI模型，所以需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲(chǔ)容量和帶寬，主要會(huì)帶動(dòng)LPDDR5x和LPDDR5T產(chǎn)品的需求。

Sever SSD方面，為滿(mǎn)足更高容量、更好性能的應(yīng)用需求，2024年server PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長(zhǎng)，在容量上更多8TB/16TB及以上PCIe SSD在服務(wù)器市場(chǎng)上的應(yīng)用增加。

隨著大模型的快速爆發(fā)，加速了對(duì)AI服務(wù)器需求，AI服務(wù)器中搭載高容量HBM，以及對(duì)DDR5的容量需求是普通服務(wù)器的2-4倍。目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流。邰煒表示，HBM占據(jù)著極大的利潤(rùn)空間，也是各原廠的必爭(zhēng)之地。根據(jù)各原廠的規(guī)劃，2024年將正式進(jìn)入到HBM3e的量產(chǎn)。

據(jù)悉，今年以來(lái)，三星電子發(fā)布首款12層堆疊HBM3E 12H，成為三星目前容量最大的HBM產(chǎn)品。美光宣布已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM3E解決方案，美光24GB 8H HBM3E將成為NVIDIA H200 Tensor Core GPU的一部分，這款產(chǎn)品在2024年第二季度開(kāi)始發(fā)貨。三星HBM3E 12H產(chǎn)品支持全天候最高帶寬達(dá)到1280GB/s，產(chǎn)品容量達(dá)到36GB，相比8層堆疊HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升50%。三星的產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入英偉達(dá)鑒定產(chǎn)品序列。

汽車(chē)作為下一個(gè)存儲(chǔ)的主力應(yīng)用正發(fā)生顯著變化。ADAS進(jìn)入質(zhì)變階段，伴隨著L3級(jí)及以上自動(dòng)駕駛汽車(chē)在逐步落地，汽車(chē)對(duì)存儲(chǔ)的性能和容量的要求也將急劇加大，單車(chē)存儲(chǔ)容量將很快進(jìn)入TB時(shí)代，另外在性能上、可靠性上汽車(chē)都會(huì)對(duì)存儲(chǔ)提出越來(lái)越多的要求，預(yù)計(jì)到2030年整個(gè)汽車(chē)市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)150億美元。

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