(電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹）近期，存儲大廠走出寒冬，好消息不斷。海外媒體報道，Nvidia 計劃采購三星的 AI 處理器用高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，三星電子公司股價創(chuàng)下六個多月以來的最大漲幅，三星公司表示，其 HBM 銷售額在2023年12月份季度增長了 40% 以上，內(nèi)存需求出現(xiàn)復蘇跡象。另外一家存儲大廠美光發(fā)布最新財報，得益于人工智能硬件需求增加，截止2月29日，美光科技第二財季營收58.2億美元，同比增長約57.7%，增速遠超第一財季的15.6%，高于分析師預期的53.6億美元。

3月20日，2024年中國閃存市場峰會CFMS在深圳前海華僑城JW萬豪酒店盛大召開，三星、SK海力士、美光、鎧俠、長江存儲等內(nèi)存大廠高管紛紛發(fā)表重磅演講，深圳市閃存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒先生帶來了《存儲周期 激發(fā)潛能》的主題演講，分享2023年存儲市場發(fā)展趨勢和2024年存儲市場價格和主要應(yīng)用市場產(chǎn)品走向。

圖：深圳市閃存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒

2024年存儲市場規(guī)模將增長42%，NAND Flash與DRAM容量需求變化

邰煒指出，存儲的市場規(guī)模在經(jīng)歷了兩年的下滑后，今年開始重新回到正軌，在加上先進技術(shù)以及新興市場的應(yīng)用，預計今年市場規(guī)模相比去年將提升至少42%以上。

從存儲產(chǎn)品分類來看，2024年，NAND FLASH將超過8000億GB單量，相比去年增長20%，DRAM預計增長達15%，將達到2370億GB單量。

從原廠的利潤率來看，在去年Q1觸底后，截止到去年四季度都有可觀的業(yè)績改善。記者獲悉，美光科技業(yè)績在第二財季已經(jīng)比去年同期獲得57%的增長，2024年第1季三星電子（Samsung Electronics）營業(yè)利益預估平均值上看4.7兆韓元（約35億美元），SK海力士也呈現(xiàn)增長信號。國內(nèi)長江存儲看好QLC NAND的增長前景。

邰煒表示，2023年全球NAND Flash供應(yīng)商的市占率排名中，三星第一，市場份額33%，SK海力士、鎧俠、WDC和美光分別位列第二到第五，市場份額分別為18.2%、17.8%、15%、11%。2023年全球DRAM供應(yīng)商市占率排名出爐，三星高達41%，位居第一，SK海力士、美光分別列第二到第三，市場份額分別為32%、23%。

三星、SK海力士、鎧俠、長江存儲等存儲芯片原廠在市場份額的競爭上從未停歇，尤其在高利潤的產(chǎn)品線上，各家都會積極推進新技術(shù)的發(fā)展，令整個產(chǎn)業(yè)保持持續(xù)向上的發(fā)展。

AI技術(shù)和應(yīng)用，激發(fā)存儲產(chǎn)品從架構(gòu)到制程上的變革

從現(xiàn)貨市場價格看，2023年三季度開始三星等存儲芯片原廠減產(chǎn)并強勢拉漲價格，價格迎來全面反彈，今年第一季度再次大漲。 2024年隨著NAND Flash價格反轉(zhuǎn)，供應(yīng)商的庫存水位也開始逐步降低。

邰煒預測，今年后續(xù)三個季度的價格將保持平穩(wěn)向上的趨勢。他指出，存儲是一個周期性的行業(yè)，回顧2019-2023這一輪周期變化，經(jīng)歷了供過于求-疫情-缺貨-庫存-超跌等等，最后以原廠主動減產(chǎn)結(jié)束。吸取以往發(fā)展過程的教訓，展望2024年到2026年，原廠和應(yīng)用廠商聚焦新技術(shù)和AI應(yīng)用來激發(fā)存儲產(chǎn)品成長的潛能。

從制程上看，首先在NAND FLASH堆疊技術(shù)上，各大原廠繼續(xù)推進更高堆疊的產(chǎn)品，三星和美光最積極，預估兩家原廠于今年第四季時，200層以上的產(chǎn)品會達到40%，今年不少廠商已經(jīng)朝300層推進，意味著閃存產(chǎn)品的容量將繼續(xù)提高。

從架構(gòu)上看，鍵合技術(shù)開始逐步進入主流，它具備兩大優(yōu)勢：一是這種架構(gòu)的產(chǎn)品隨著堆疊層數(shù)的提升，成本將更具有優(yōu)勢；二、鍵合技術(shù)技術(shù)架構(gòu)可以將更多特性設(shè)計到NAND FLASH里，有利于產(chǎn)品創(chuàng)新。

他還指出，隨著更多的產(chǎn)品對存儲的容量要求日趨增大，預計今年QLC的應(yīng)用將開始加速，除了傳統(tǒng)的SSD產(chǎn)品上，其他的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)㈤_始得到全面的擴展。

在DRAM領(lǐng)域，DRAM技術(shù)全面進入EUV時代。三星在2021年和2022年采用1a nmEUV，2023年采用1b nm EUV，2024年預計將采用1c nm EUV推出全新DRAM產(chǎn)品。

存儲芯片在三大應(yīng)用領(lǐng)域擴展，汽車成為存儲潛力增長市場

從行業(yè)應(yīng)用來看，2024年P(guān)C、服務(wù)器、手機對內(nèi)存的需求占比不同，但是2024年三大核心應(yīng)用已基本上突破了黑暗期， 隨著AI手機、AI PC、AI服務(wù)器需求持續(xù)轉(zhuǎn)暖，這三大領(lǐng)域終端的成長帶動相配套的存儲的產(chǎn)品增長。此外，以汽車為代表的新興市場也在快速增加。

CFM閃存市場預測，2024年手機存儲需求同比去年增長4%，PC市場存儲需求同比增長8%，服務(wù)器市場存儲需求同比增長4%。

在智能手機市場，手機UFS市占率進一步提升，UFS4.0增長更加顯著。高端機型已經(jīng)基本上進入512G以及TB時代，預計今年的手機平均容量將超過200G，在內(nèi)存上快速想更高性能的LPDDR5演進，預計全年DRAM平均容量將超過7G。

AI手機已經(jīng)成為手機新的增長點，16G的 DRAM將是AI手機的最低配置，后續(xù)將有力的推動手機存儲再升級。

在PC市場，去年整機需求下降導致消費類SSD需求下滑，今年隨著存儲價格下跌，大容量SSD的高性價受到市場關(guān)注，SSD迎來了價格甜蜜點，去年1TB PCIe4.0已基本是PC市場的主流配置。

在PC DRAM方面，由于更輕薄、長續(xù)航以及LPCAMM新形態(tài)產(chǎn)品在PC上的應(yīng)用發(fā)展，預計LPDDR5將迎來迅速發(fā)展。隨著新處理器平臺的導入DDR5在2024年P(guān)C上的應(yīng)用會明顯增加。

AI PC預計到2024年會迎來應(yīng)用的破局，與傳統(tǒng)PC不同，AI PC最重要的是嵌入了AI芯片，形成“CPU+GPU+NPU”的異構(gòu)方案?？梢灾С直镜鼗疉I模型，所以需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲容量和帶寬，主要會帶動LPDDR5x和LPDDR5T產(chǎn)品的需求。

Sever SSD方面，為滿足更高容量、更好性能的應(yīng)用需求，2024年server PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長，在容量上更多8TB/16TB及以上PCIe SSD在服務(wù)器市場上的應(yīng)用增加。

隨著大模型的快速爆發(fā)，加速了對AI服務(wù)器需求，AI服務(wù)器中搭載高容量HBM，以及對DDR5的容量需求是普通服務(wù)器的2-4倍。目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流。邰煒表示，HBM占據(jù)著極大的利潤空間，也是各原廠的必爭之地。根據(jù)各原廠的規(guī)劃，2024年將正式進入到HBM3e的量產(chǎn)。

據(jù)悉，今年以來，三星電子發(fā)布首款12層堆疊HBM3E 12H，成為三星目前容量最大的HBM產(chǎn)品。美光宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)HBM3E解決方案，美光24GB 8H HBM3E將成為NVIDIA H200 Tensor Core GPU的一部分，這款產(chǎn)品在2024年第二季度開始發(fā)貨。三星HBM3E 12H產(chǎn)品支持全天候最高帶寬達到1280GB/s，產(chǎn)品容量達到36GB，相比8層堆疊HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升50%。三星的產(chǎn)品已經(jīng)進入英偉達鑒定產(chǎn)品序列。

汽車作為下一個存儲的主力應(yīng)用正發(fā)生顯著變化。ADAS進入質(zhì)變階段，伴隨著L3級及以上自動駕駛汽車在逐步落地，汽車對存儲的性能和容量的要求也將急劇加大，單車存儲容量將很快進入TB時代，另外在性能上、可靠性上汽車都會對存儲提出越來越多的要求，預計到2030年整個汽車市場規(guī)模將超過150億美元。

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