三星電子：2025年步入3D DRAM時(shí)代
三星電子近期于領(lǐng)先半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)議 Memcon 2024上透露，公司將從2025年起步入3D DRAM階段。
據(jù)分析師預(yù)測(cè)，DRAM行業(yè)將于2030年前縮減工藝至10nm以下，然而當(dāng)前的設(shè)計(jì)已無法在此基礎(chǔ)上進(jìn)行延伸，故而業(yè)內(nèi)開始尋求如3D DRAM等新型存儲(chǔ)器解決方案。
相關(guān)報(bào)告揭示，三星已展示出兩款頗具前景的3D DRAM技術(shù)——垂直通道晶體管及堆疊DRAM。前者通過改變信道方向，大幅縮小元件體積；后者則通過高密度陣列設(shè)計(jì)，在有限空間內(nèi)提高存儲(chǔ)容量（單芯片高達(dá)100G）。
為保持競(jìng)爭(zhēng)力，三星于今年初在美國(guó)硅谷建立了新的3D DRAM研發(fā)中心，以深化其在該領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)地位。
有研究機(jī)構(gòu)大膽預(yù)估，3D DRAM市場(chǎng)于2028年有望達(dá)到千億美元規(guī)模。
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