4月9日，韓國媒體Businesskorea傳來了振奮人心的消息，全球內(nèi)存領(lǐng)域的兩大巨頭SK海力士和三星電子均有望在年內(nèi)率先將1c納米DRAM內(nèi)存推向大規(guī)模生產(chǎn)階段。

隨著制程技術(shù)的飛速發(fā)展，內(nèi)存行業(yè)已昂首闊步邁入20~10nm制程的新紀元。在這個嶄新的技術(shù)時代，業(yè)界以一種新穎的方式——1+字母的形式，為內(nèi)存的世代命名。1c nm，即業(yè)界所指的1-gamma nm，它標志著內(nèi)存技術(shù)邁入了第六個10+nm制程世代。在此之前，三星方面對前一代技術(shù)——1b nm制程的稱呼是“12nm級”。

在近期舉辦的行業(yè)盛會Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產(chǎn)計劃，預(yù)計在今年年底前，他們將成功實現(xiàn)1c nm制程的批量生產(chǎn)。與此同時，據(jù)行業(yè)內(nèi)部知情人士透露，SK海力士也早已制定了詳盡的路線圖，并計劃在今年三季度正式啟動1c nm DRAM內(nèi)存的量產(chǎn)。

為了迅速捕捉市場機遇，SK海力士正積極籌備，一旦1c nm內(nèi)存通過行業(yè)的嚴格驗證，他們便將迅速向微軟、亞馬遜等重量級客戶供貨。這一戰(zhàn)略舉措無疑將大大增強SK海力士在全球內(nèi)存市場的競爭地位。

對于三星電子和SK海力士而言，下一代內(nèi)存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望進一步提升EUV光刻技術(shù)的使用頻率。這種先進的技術(shù)在減小線寬、提升速率的同時，還能帶來顯著的能效提升。此前，美光公司已率先宣布，將在1-gamma納米節(jié)點首次引入EUV技術(shù)，并預(yù)計于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)，目前該公司已順利完成試產(chǎn)。

與此同時，臺灣的南亞科技也在內(nèi)存技術(shù)的研發(fā)道路上奮力前行，他們正在積極研發(fā)首代DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，并有望在年內(nèi)推向市場。這一系列的技術(shù)進步與創(chuàng)新，無疑將引領(lǐng)全球內(nèi)存市場邁向一個全新的發(fā)展高峰。

審核編輯：黃飛