美光推LPDDR5X內(nèi)存，助提升手機(jī)電池續(xù)航
據(jù)4月15日?qǐng)?bào)道，美光在最新博文中透露，全新一代9.6Gbps（9600MHz）LPDDR5X內(nèi)存樣品已經(jīng)交付給移動(dòng)設(shè)備制造商。相較前代產(chǎn)品，此款新品功耗降低4%。
美光強(qiáng)調(diào)，此新型內(nèi)存不僅可以滿足AI密集型應(yīng)用對(duì)高帶寬的需求，還大幅提升了能效。
參考IT之家早先報(bào)道，美光首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世，最大容量16GB，適配高通驍龍8Gen3平臺(tái);SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR5T內(nèi)存。
據(jù)Statista2023年調(diào)查報(bào)告指出，71%的受訪者表示下一次購(gòu)機(jī)將優(yōu)先考慮“電池續(xù)航”，遠(yuǎn)超選擇“耐用性”（61%）及“相機(jī)質(zhì)量”（48%）的比例。
這表明電池續(xù)航能力仍然是消費(fèi)者關(guān)注的焦點(diǎn)，也是手機(jī)制造商亟待改善的重要環(huán)節(jié)。而作為手機(jī)整體的組成部分，節(jié)能型內(nèi)存系統(tǒng)有助于延長(zhǎng)用戶使用時(shí)間。
美光新版9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存依然基于未引入EUV光刻的1β（1-beta）節(jié)點(diǎn)，采用第二代HKMG技術(shù)與改良JEDECeDVFSC技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的功耗控制與電源效率提升。
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