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ICCD 和 emICCD 相機(jī):基礎(chǔ)知識(shí)

jf_64961214 ? 來(lái)源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2024-04-16 06:32 ? 次閱讀
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圖 1:具有三個(gè)組件的增強(qiáng)器示意圖:光電陰極(檢測(cè)光子并轉(zhuǎn)化為光電子)、微通道板(通過(guò)二次級(jí)聯(lián)將光電子轉(zhuǎn)化為電子云)和熒光屏(將電子云轉(zhuǎn)換為光子)。然后,成倍增加的光子通過(guò)光纖束發(fā)送到CCD陣列。

ICCD傳感器

增強(qiáng)型CCD(ICCD)相機(jī)將CCD傳感器與增強(qiáng)器結(jié)合使用。由于增強(qiáng)器的電子倍增組件,它們是弱光或單光子應(yīng)用的理想選擇。它們也非常適合需要不到納秒曝光時(shí)間的應(yīng)用,例如激光誘導(dǎo)擊穿光譜或熒光壽命成像顯微鏡,因?yàn)樵鰪?qiáng)器能夠快速關(guān)閉快門(mén),同時(shí)仍將檢測(cè)到的任何光子轉(zhuǎn)換為光電子。

增壓器由三個(gè)部分組成;光電陰極、微通道板 (MCP) 和沉積在光纖上的熒光屏(圖 1)。光電陰極位于石英窗口后面,將入射光子轉(zhuǎn)換為光電子。轉(zhuǎn)化為光電子的光子數(shù)量由相機(jī)的量子效率和光的波長(zhǎng)決定。

光子被光電陰極檢測(cè)并轉(zhuǎn)化為電子。然后,這些電子通過(guò)受控的電壓增加加速到MCP。MCP 將每個(gè)光電子轉(zhuǎn)化為一團(tuán)電子,然后這些電子云通過(guò)熒光屏進(jìn)入光纖。

光電子云由高壓引發(fā),該高壓加速入射電子進(jìn)入MCP內(nèi)多個(gè)小通道的壁。這會(huì)導(dǎo)致一連串的二次電子發(fā)射,產(chǎn)生一團(tuán)電子。由于此過(guò)程與MCP上的電壓有關(guān),因此由相機(jī)的增益決定。

MCP 產(chǎn)生的電子云撞擊熒光光纖,任何電子都被吸收。然后,這些電子在光纖內(nèi)轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光,并被CCD檢測(cè)。由于入射光電子在MCP內(nèi)成倍增加,ICCD探測(cè)器具有高度靈敏度,具有單光子檢測(cè)能力。

ICCD探測(cè)器具有超高的快門(mén)速度,這是由于增強(qiáng)器兩端的電壓受控。如果控制電壓反轉(zhuǎn),則光電子加速朝向光電陰極而不是 MCP。這樣可以防止任何光子通過(guò)增強(qiáng)器傳播到CCD。此過(guò)程稱(chēng)為門(mén)控。

emICCD 傳感器

emICCD 結(jié)合了 ICCD 和 EMCCD 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。由于 emICCD 能夠通過(guò)兩個(gè)獨(dú)立的過(guò)程(增強(qiáng)器和電子倍增器)放大信號(hào),因此它們能夠同時(shí)應(yīng)用兩種增益機(jī)制。因此,實(shí)現(xiàn)了最大增益,從而實(shí)現(xiàn)了低光和單光子成像的高靈敏度。

這種增益組合還消除了ICCD中常見(jiàn)的非線性。ICCD的非線性是由于MCP通道的飽和而產(chǎn)生的。這可能會(huì)影響ICCD的動(dòng)態(tài)范圍,并可能改變定量測(cè)量。這種飽和度與高增益有關(guān),因此必須使用低增益以獲得更線性的響應(yīng)。由于emICCD有兩個(gè)利用增益的工藝,因此可以降低ICCD分量的增益,而增加EMCCD分量的增益,從而補(bǔ)償MCP的任何放大損失。

由于 emICCD 傳感器仍然集成了門(mén)控,因此它們能夠高速運(yùn)行,同時(shí)仍保持靈敏度、線性度和動(dòng)態(tài)范圍的提高。這使得它們成為捕獲動(dòng)態(tài)過(guò)程的理想選擇。

總結(jié)

ICCD傳感器能夠通過(guò)增加增強(qiáng)器內(nèi)產(chǎn)生的電子數(shù)量來(lái)倍增信號(hào)。通過(guò)級(jí)聯(lián)過(guò)程,通過(guò)MCP的電子被轉(zhuǎn)化為電子云,然后被熒光屏轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光,并通過(guò)光纖傳輸?shù)紺CD。這允許低光信號(hào)檢測(cè)和高靈敏度。

由于超高快門(mén)速度,ICCD傳感器能夠在亞納秒曝光時(shí)間內(nèi)成像。由于門(mén)控機(jī)構(gòu)由增壓器兩端的電壓控制,因此可以很容易地將其控制到高精度、短時(shí)間尺度。

ICCD技術(shù)的主要局限性是線性度。這是由于級(jí)聯(lián)過(guò)程中MCP的飽和而引起的。如果通道內(nèi)的二次電子以比它們可以維持的速度更快的速度耗盡,則線性度會(huì)降低。這是長(zhǎng)時(shí)間使用高增益的副作用,但是這可以通過(guò)使用emICCD來(lái)解決。

emICCD 傳感器結(jié)合了 ICCD 和 EMCCD 技術(shù),提供雙電子倍增過(guò)程。這可實(shí)現(xiàn)最大增益,提供高靈敏度、線性度和動(dòng)態(tài)范圍,非常適合需要單光子檢測(cè)的應(yīng)用。

審核編輯 黃宇

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