日本礙子2012年4月25日發(fā)布消息稱,開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結(jié)晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法,在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。
日本礙子在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下,在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件,并進行了發(fā)光性能試驗,結(jié)果表明,該LED元件的內(nèi)部量子效率達到約90%(注入電流200mA時)。據(jù)日本礙子介紹,市售LED元件的內(nèi)部量子效率為30~40%(注入電流200mA時),照此計算,利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件,其內(nèi)部量子效率提高了1倍以上,這樣便可使發(fā)光效率達到市售LED光源的2倍(200lm/W),將耗電量降低50%并抑制發(fā)熱,從而實現(xiàn)照明器具的長壽命化及小型化。
日本礙子2012年度設(shè)立了“晶圓項目”,以促使晶圓相關(guān)產(chǎn)品實現(xiàn)商品化。今后還預(yù)定于2012年內(nèi)開始樣品供貨世界首款以液相生長法制造的直徑4英寸的GaN晶圓。該公司將瞄準以混合動力車及電動汽車的功率器件以及無線通信基站的功率放大器為對象的晶圓市場,為進一步降低缺陷密度并加大口徑(直徑6英寸)繼續(xù)推進開發(fā)。
發(fā)光試驗中的LED元件。基板尺寸:1cm見方,元件尺寸:0.3mm見方,注入電流:約200mA,中心波長:450nm
GaN晶圓。左為2英寸產(chǎn)品,右為4英寸產(chǎn)品
-
led
+關(guān)注
關(guān)注
243文章
24337瀏覽量
684766 -
發(fā)光效率
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
20瀏覽量
10503 -
LED發(fā)光效率
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
6326
發(fā)布評論請先 登錄
LED車燈的構(gòu)造與發(fā)光原理及優(yōu)勢
功率放大器在led發(fā)光研究中的應(yīng)用
FRED應(yīng)用:LED手電筒模擬
案例解析||照明LED的失效模式問題及改善措施
美國倍捷連接器再次登陸日本智慧能源周
八個方面提升LED驅(qū)動電源效率
FRED應(yīng)用: LED混合準直透鏡模擬
如何提高SMT生產(chǎn)效率
LED性能評估:關(guān)鍵參數(shù)與檢測技術(shù)

日本將LED發(fā)光效率再提高1倍
評論