日本礙子2012年4月25日發(fā)布消息稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN（氮化鎵）晶圓。該晶圓在生長GaN單結(jié)晶體時(shí)采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個(gè)晶圓表面實(shí)現(xiàn)低缺陷密度的同時(shí)獲得了無色透明特性。

日本礙子在其他研究機(jī)構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗(yàn)，結(jié)果表明，該LED元件的內(nèi)部量子效率達(dá)到約90％（注入電流200mA時(shí)）。據(jù)日本礙子介紹，市售LED元件的內(nèi)部量子效率為30～40％（注入電流200mA時(shí)），照此計(jì)算，利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內(nèi)部量子效率提高了1倍以上，這樣便可使發(fā)光效率達(dá)到市售LED光源的2倍（200lm/W），將耗電量降低50％并抑制發(fā)熱，從而實(shí)現(xiàn)照明器具的長壽命化及小型化。

日本礙子2012年度設(shè)立了“晶圓項(xiàng)目”，以促使晶圓相關(guān)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)商品化。今后還預(yù)定于2012年內(nèi)開始樣品供貨世界首款以液相生長法制造的直徑4英寸的GaN晶圓。該公司將瞄準(zhǔn)以混合動(dòng)力車及電動(dòng)汽車的功率器件以及無線通信基站的功率放大器為對(duì)象的晶圓市場，為進(jìn)一步降低缺陷密度并加大口徑（直徑6英寸）繼續(xù)推進(jìn)開發(fā)。

發(fā)光試驗(yàn)中的LED元件。基板尺寸：1cm見方，元件尺寸：0.3mm見方，注入電流：約200mA，中心波長：450nm

GaN晶圓。左為2英寸產(chǎn)品，右為4英寸產(chǎn)品