三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，采用290層雙重堆疊技術(shù)
近日，三星半導(dǎo)體宣布已順利實(shí)現(xiàn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)，單芯片容量較前代提升近50%，同時通過新型通道孔蝕刻技術(shù)提升了生產(chǎn)效益。
作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計(jì)劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，層數(shù)有望達(dá)到驚人的430層，從而大幅提升NAND密度，鞏固并擴(kuò)大其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。
市場研究機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測，盡管NAND閃存市場在2023年出現(xiàn)37.7%的下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來38.1%的反彈。為抓住這一市場機(jī)遇，三星承諾加大對NAND業(yè)務(wù)的投入力度。
值得注意的是，三星高層曾表示，公司計(jì)劃在2030年前研發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
云計(jì)算
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
8004瀏覽量
143154 -
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1813文章
49772瀏覽量
261718 -
NAND芯片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
24瀏覽量
10366
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
PCIe 5.0 8TB SSD挺進(jìn)消費(fèi)級市場
固態(tài)硬盤9100 PRO系列。三星 9100 PRO 8TB采用了 PCIe 5.0 x4 接口設(shè)計(jì)，支持 NVMe 2.0 協(xié)議，搭配三星自研控制器、
鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣
融合現(xiàn)有存儲單元與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D
發(fā)表于 07-28 15:30
?475次閱讀
突破堆疊瓶頸：三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動 HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合
今日看點(diǎn)丨NAND Flash Q3將漲價超15%；阿斯麥警告 2026 年增長目標(biāo)堪憂；蘋果折疊手機(jī)將采用三星無折痕方案
1、NAND Flash第三季度將漲價超15% 據(jù)業(yè)界最新預(yù)測，第三季NAND Flash漲價已成定局，其中，512Gb以下
發(fā)表于 07-17 10:13
?2792次閱讀
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
發(fā)表于 04-18 10:52
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技
三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線
還將進(jìn)一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。 報道指出，為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星
三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì)，力保HBM4量產(chǎn)
據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報道
據(jù)報道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
b nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程
三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量
近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預(yù)計(jì)今年
三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對市場變化
近日，三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報道，三星
消息稱三星正為蘋果iPhone開發(fā)三層堆疊式相機(jī)傳感器
傳感器供應(yīng)鏈。據(jù)爆料人士透露，三星正在研發(fā)一種三層堆疊式傳感器，據(jù)稱性能優(yōu)于索尼的 Exmor RS 系列。 此前，知名分析師郭明錤曾預(yù)測，三星將從 iPhone 18 開始為蘋果供應(yīng)
【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+
發(fā)表于 12-17 17:34
工商網(wǎng)監(jiān)
評論