近日，三星半導體宣布已順利實現(xiàn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)，單芯片容量較前代提升近50%，同時通過新型通道孔蝕刻技術提升了生產(chǎn)效益。

作為九代V-NAND的核心技術，雙重堆疊技術使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應用于大型企業(yè)服務器及人工智能與云計算領域。據(jù)了解，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術，層數(shù)有望達到驚人的430層，從而大幅提升NAND密度，鞏固并擴大其行業(yè)領導地位。

市場研究機構Omdia預測，盡管NAND閃存市場在2023年出現(xiàn)37.7%的下滑，但預計今年將迎來38.1%的反彈。為抓住這一市場機遇，三星承諾加大對NAND業(yè)務的投入力度。

值得注意的是，三星高層曾表示，公司計劃在2030年前研發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。