根據(jù)Theelec報(bào)道，ASML公布其高數(shù)值孔徑EUV（High-NA EUV）設(shè)備，預(yù)計(jì)在2025上半年供應(yīng)給英特爾獨(dú)占使用，因此2025下半年之后三星與SK海力士方可獲得此設(shè)備。

消息人士透露，ASML此類設(shè)備年產(chǎn)量大約在五至六臺(tái)之間，意即英特爾全數(shù)預(yù)定了初期產(chǎn)能。他們進(jìn)一步指出，由于英特爾迅速報(bào)出重返芯片代工市場(chǎng)，從而迅速購(gòu)得這些設(shè)備。

ASML的高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備對(duì)于2nm工藝節(jié)點(diǎn)芯片的制造至關(guān)重要，每臺(tái)設(shè)備成本高達(dá)5000億韓元（折合人民幣約26.47億元）。

數(shù)值孔徑（NA）代表光學(xué)系統(tǒng)收集及聚焦光線的能力，數(shù)值越大，聚光效果越佳。高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備的數(shù)值孔徑從0.33提升至0.55，使其能夠繪制更為精密的電路圖案。

自2017年ASML首臺(tái)量產(chǎn)EUV光刻機(jī)問(wèn)世以來(lái)，三星的7nm、5nm、3nm工藝以及臺(tái)積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝均依賴于數(shù)值孔徑為0.33的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。隨著三星、臺(tái)積電、英特爾3nm制程的陸續(xù)量產(chǎn)，三家企業(yè)正積極投入2nm制程研發(fā)，以滿足未來(lái)高性能計(jì)算（HPC）等高端芯片需求，并在晶圓代工市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

為了爭(zhēng)取客戶，英特爾選擇比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更早采用高數(shù)值孔徑EUV。盡管該公司于2021年重回代工市場(chǎng)，但去年該業(yè)務(wù)仍虧損達(dá)70億美元。