CP是把壞的Die挑出來(lái)，可以減少封裝和測(cè)試的成本。WAT是Wafer Acceptance Test，對(duì)專門的測(cè)試圖形（test key）的測(cè)試，通過(guò)電參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。CP是對(duì)wafer進(jìn)行測(cè)試，而FT是對(duì)package進(jìn)行測(cè)試。

CP，F(xiàn)T，WAT都是與芯片的測(cè)試有關(guān)，他們有什么區(qū)別呢？如何區(qū)分？?

1 CP，F(xiàn)T，WAT分別是什么？

CP：Chip Probing，在半導(dǎo)體制造結(jié)束后，芯片從晶圓分割并封裝之前，使用探針卡接觸晶圓上的芯片，進(jìn)行電氣測(cè)試以確保它們符合規(guī)格，一般包括vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，不同類別的產(chǎn)品測(cè)試的參數(shù)也不同。

FT：Final Test，即終測(cè)通常在芯片封裝完成后進(jìn)行的最終測(cè)試。這個(gè)測(cè)試目的是驗(yàn)證封裝好的芯片在功能上是否完全符合設(shè)計(jì)規(guī)格，包括其性能、功耗、可靠性等。

WAT：Wafer Acceptance Test，在晶圓加工過(guò)程中進(jìn)行的測(cè)試，通過(guò)WAT，晶圓廠可以早期識(shí)別晶圓加工中的問(wèn)題，如摻雜濃度不一致、光刻問(wèn)題或蝕刻缺陷等，從而及時(shí)調(diào)整生產(chǎn)過(guò)程，避免大規(guī)模生產(chǎn)不良產(chǎn)品。

2 CP，F(xiàn)T，WAT的區(qū)別？

測(cè)的階段不同：CP，WAT在晶圓上測(cè)，F(xiàn)T則是對(duì)封裝好的每顆芯片進(jìn)行測(cè)試。CP是所有半導(dǎo)體制造工藝結(jié)束后測(cè)，WAT在特定半導(dǎo)體制造工藝結(jié)束后測(cè)，而FT是芯片封裝完畢后測(cè)。

測(cè)的頻率不同：WAT一般是抽測(cè)，CP可抽測(cè)可全測(cè)，F(xiàn)T是全測(cè)。



審核編輯：劉清