隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件——硅碳化物(SiC)成為了行業(yè)新寵。這一趨勢不僅在汽車產(chǎn)業(yè)得到了證實(shí)，SiC MOSFET更是開始在光伏逆變器和工業(yè)電源等多個(gè)領(lǐng)域大放異彩。

近期，光伏儲能系統(tǒng)的操作電壓水平不斷攀升，推動(dòng)了2000V SiC MOSFET作為行業(yè)新熱點(diǎn)的崛起。面對這一商機(jī)，眾多功率器件生產(chǎn)商紛紛加緊研發(fā)，推出了自家的2000V SiC MOSFET新品。

今年1月，英飛凌技術(shù)公司便發(fā)布了多個(gè)型號的IMYH200R系列2000V SiC MOSFET新品，這些產(chǎn)品規(guī)格包括12mΩ、24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ，且均采用了TO-247PLUS-4-HCC封裝技術(shù)。英飛凌自豪地宣稱，這是迄今為止市面上具備最高阻斷電壓的分立式SiC MOSFET器件。

而泰科天潤在上一年的慕尼黑電子展上，也向業(yè)界展示了其2000V系列SiC MOSFET單管產(chǎn)品，這些產(chǎn)品特別適合在1500V的光伏系統(tǒng)中使用，盡管具體參數(shù)尚未對外公開。基本半導(dǎo)體則在去年10月宣布了其第二代SiC MOSFET平臺，并透露將推出2000V 24mΩ規(guī)格的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。

光伏儲能市場的競爭焦點(diǎn)在于如何提升系統(tǒng)效率同時(shí)降低制造成本。SiC器件以其出色的高耐壓和低功耗特性，備受業(yè)界關(guān)注，有望在提升系統(tǒng)效率方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。英飛凌等廠商所推出的2000V SiC MOSFET新產(chǎn)品，為光伏儲能系統(tǒng)的未來發(fā)展打開了新的可能性。

雖然在成本方面IGBT技術(shù)仍然具有一定的優(yōu)勢，但隨著SiC成本的持續(xù)降低，其在光伏儲能應(yīng)用中的前景越來越受到行業(yè)的高度期待。展望未來，2000V SiC MOSFET的廣泛應(yīng)用，有望為光伏儲能行業(yè)帶來更高效且可靠的新方案。