傾佳電子：碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng)，引領能效革命

功率半導體領域的技術變革，正在重塑新能源世界的能源轉換效率邊界。

全球能源轉型浪潮下，混合逆變器和儲能變流器（PCS）已成為新能源系統(tǒng)的核心“調(diào)度官”，負責光伏發(fā)電、電池儲能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開關損耗大、溫升高、功率密度有限。

碳化硅（SiC）MOSFET技術的崛起，為電力電子行業(yè)帶來了革命性突破。

作為基本半導體碳化硅功率器件的一級代理商，傾佳電子（Changer Tech）正以高性能SiC MOSFET分立器件、功率模塊及配套驅動IC為核心武器，推動混合逆變器與儲能變流器進入高效率、高功率密度、高可靠性的全新時代。

01 重新定義儲能變流器的效能標準

電力電子世界正經(jīng)歷一場靜默革命。在“雙碳”目標驅動下，光伏發(fā)電、工商業(yè)儲能系統(tǒng)對能源轉換效率提出了前所未有的嚴苛要求。傳統(tǒng)硅基IGBT器件受限于材料特性，在高溫、高頻應用場景中效率瓶頸日益凸顯10。

SiC MOSFET的寬禁帶特性，使其在高溫、高頻、高壓環(huán)境下展現(xiàn)出卓越性能。作為基本半導體在功率器件領域的戰(zhàn)略合作伙伴，傾佳電子提供的B2M/B3M系列SiC MOSFET產(chǎn)品，基于6英寸晶圓平臺開發(fā)，比導通電阻降低40%，品質系數(shù)（FOM）優(yōu)化70%，開關損耗顯著降低30%以上。

產(chǎn)品性能參數(shù)直擊行業(yè)痛點：在175℃高溫環(huán)境下，導通電阻僅24mΩ，高溫漏電流（IDSS）控制在50μA以內(nèi)。這一特性使得儲能變流器在高溫工作環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定高效的運行，大幅提升了系統(tǒng)的環(huán)境適應性與可靠性。

旗艦產(chǎn)品B3M 1200V 13.5mΩ采用第三代芯片技術，有源區(qū)比導通電阻低至2.5mΩ·cm2，VGS(th)一致性極佳，支持免分選并聯(lián)設計。

創(chuàng)新封裝技術賦予功率器件更強生命力。TO-247-4 Kelvin封裝配備獨立開爾文源極（Pin3），有效減少柵極回路寄生電感，抑制開關振蕩，提升高頻穩(wěn)定性。銀燒結技術的應用，使熱阻（Rth(j?c)）降至0.2K/W，導熱效率比傳統(tǒng)焊料提升50%，支持更高功率密度設計。

02 一站式功率解決方案

面對混合逆變器與儲能變流器的復雜應用環(huán)境，單一器件升級難以釋放系統(tǒng)全部潛力。傾佳電子提供從芯片到系統(tǒng)的全方位技術支持，覆蓋分立器件、功率模塊到驅動IC的全套解決方案。

在模塊級解決方案上，Pcore?系列SiC模塊采用創(chuàng)新設計：內(nèi)置SiC SBD消除反向恢復損耗，降低VSD電壓；Si?N? AMB陶瓷基板配合高溫焊料，耐熱性提升50%，支持175℃結溫；集成NTC溫度傳感器，支持Press-Fit壓接工藝。

明星產(chǎn)品BMF240R12E2G3（E2B封裝）半橋模塊，具有1200V耐壓和5.5mΩ超低導通電阻，支持240A連續(xù)電流輸出，專為150kW級充電樁和APF應用優(yōu)化設計。

而對于更大功率場景，BMF450R12KA3（62mm封裝）半橋模塊可提供1200V/3.0mΩ/450A的強大性能，滿足列車電源和大功率電機驅動的嚴苛需求。

驅動與保護的協(xié)同創(chuàng)新是釋放SiC全部潛力的關鍵。傾佳電子提供基本半導體專為碳化硅MOSFET設計的驅動IC，如雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，支持米勒鉗位功能，有效抑制SiC MOSFET的誤開通。

2CD0210T12x0驅動板專為SiC定制，集成米勒鉗位功能，雙通道設計支持峰值電流10A，可驅動中大功率模塊；具備原副邊欠壓保護、寬壓輸入（16-30V）能力，適配復雜電源環(huán)境。

03 技術創(chuàng)新突破SiC應用瓶頸

SiC技術的應用推廣并非一帆風順。柵氧可靠性、系統(tǒng)兼容性、成本效益等問題曾阻礙其大規(guī)模應用。傾佳電子攜手基本半導體通過持續(xù)技術創(chuàng)新，逐一攻克這些技術壁壘。

車規(guī)級可靠性保障工業(yè)應用無憂。基本半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101認證，HTRB/HTGB測試溫度達175℃——行業(yè)最高標準3。在加嚴驗證中，HTRB 1320V、H3TRB 1200V超過2500小時無失效，相當于4倍等效應力測試。

TDDB測試驗證了18V驅動下更長的理論使用壽命，為工業(yè)設備長期可靠運行提供保障。

系統(tǒng)級成本優(yōu)化是SiC技術普及的關鍵。雖然SiC MOSFET本身成本高于硅基IGBT，但系統(tǒng)級成本反而降低——通過減少布線、無源元件、熱管理等外圍需求，整體成本可低于硅基系統(tǒng)。

銅價暴漲背景下，使用SiC MOSFET替代IGBT可顯著提高頻率，降低電感等磁性元件成本，同時減小散熱系統(tǒng)體積和整機重量，實現(xiàn)系統(tǒng)綜合成本優(yōu)化。

第三代SiC MOSFET技術平臺實現(xiàn)芯片面積縮小30%以上，性能全面提升。B3M040120Z（TO-247-4封裝）使品質系數(shù)（FOM）再降5%，完美適配高頻拓撲；B3M040065L（TOLL封裝）則降低雜散電感30%，專為戶儲和AI電源設計。

04 行業(yè)應用案例見證能效躍升

傾佳電子的SiC解決方案已在光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)設備等領域取得顯著成效，為客戶帶來可量化的效率提升與成本節(jié)約。

在光伏領域，基本半導體B2M080120Z（1200V 80mΩ）應用于MPPT電路，提升轉換效率超過2%；逆變側采用B2M030120Z（1200V 30mΩ），可降低溫升15℃。這些改進直接轉化為發(fā)電量的提升和系統(tǒng)壽命的延長。

儲能變流器（PCS）領域的技術突破尤為引人注目。采用BMF240R12E2G3模塊替代傳統(tǒng)IGBT方案，系統(tǒng)體積縮小30%，功率密度高達4kW/L5。高頻特性使無源器件用量大幅減少，在銅價持續(xù)上漲的市場環(huán)境下，為客戶帶來顯著成本優(yōu)勢。

工業(yè)設備領域同樣取得重大進展。在逆變焊機應用中，B2M030120Z替代IGBT作為主開關，開關頻率提升至100kHz，大幅減小變壓器體積，同時提升焊接質量和工藝靈活性。

隨著基本半導體推出2000V高壓系列碳化硅MOSFET，1500V光儲系統(tǒng)的效率瓶頸被進一步突破。1700V 600mΩ高壓系列產(chǎn)品具有低導通電阻、低損耗特性，支持更高開關頻率運行，為下一代高壓儲能系統(tǒng)鋪平道路。

05 助力中國儲能產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展

作為本土功率半導體解決方案提供商，傾佳電子不僅提供產(chǎn)品，更致力于構建完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，推動中國儲能產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新與全球競爭力提升。

傾佳電子提供多維技術賦能體系：全場景選型支持，從SiC碳化硅分立器件到工業(yè)模塊的一站式方案；開放失效分析實驗室，提供HTRB/HTGB加嚴測試數(shù)據(jù)驗證；定制化驅動板設計服務，兼容+18V/-4V驅動需求。

公司聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉型三大方向，在新型能源體系發(fā)展趨勢下，融合數(shù)字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲能管理技術，助力實現(xiàn)“源、網(wǎng)、荷、儲、車”協(xié)同發(fā)展。

傾佳電子認為，SiC MOSFET替代傳統(tǒng)硅基IGBT是不可逆轉的行業(yè)趨勢。公司合伙人楊茜提出“三個必然”趨勢：SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊；SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET；650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN器件。

隨著全球SiC市場規(guī)模年均增長超30%，傾佳電子與基本半導體的技術融合將加速國產(chǎn)替代進程：從芯片設計、模塊封裝到驅動方案的全鏈路國產(chǎn)化突破，降低供應鏈風險；第三代B3M系列芯片面積減少30%，驅動板集成設計降低外圍元件成本，助力客戶降本增效；構建開放技術生態(tài)，提供電力電子仿真、熱設計支持與定制化服務，縮短客戶研發(fā)周期。

傾佳電子業(yè)務總監(jiān)楊茜的微信上，一組最新數(shù)據(jù)被頻頻轉發(fā)給客戶：某頭部儲能企業(yè)采用基本半導體BMF240R12E2G3模塊后，儲能變流器功率密度提升至4kW/L，體積縮小30%，系統(tǒng)效率突破99%。這組數(shù)字正在新能源行業(yè)引發(fā)漣漪效應。

隨著光伏電站與儲能系統(tǒng)對效率的追求進入“小數(shù)點競爭”時代，傾佳電子攜基本半導體SiC技術提供的不僅是器件，更是一種“系統(tǒng)級能效思維”——在電力電子鏈路的每個環(huán)節(jié)摳效率，在系統(tǒng)架構的每個維度省空間，在設備全生命周期的每分每秒求可靠。

新能源世界的能源轉換效率邊界，正在碳化硅技術的驅動下不斷拓展。

審核編輯 黃宇