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南京中科微Si24R2F+ 芯片應用原理圖更新

南京中科微電子有限公司 ? 來源:南京中科微 ? 2024-05-10 14:08 ? 次閱讀
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Si24R2F+ 芯片應用原理圖已更新,請聯(lián)系各地經(jīng)銷商獲取最新資料,盡快更新!

具體更新位置如下,

C1電容值,調(diào)整為 100nF
L3電感值,調(diào)整為3.9nH

C7電容值,調(diào)整為 22nF

優(yōu)化:電池端使用較小儲能電容時,個別芯片會小概率復位和死機。

8b376916-0e91-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg

本次更新后的數(shù)據(jù)手冊版本號為:Si24R2F_Plus_數(shù)據(jù)手冊_V0.8 8b68c43e-0e91-11ef-a297-92fbcf53809c.png

#02-其它更新

Si24R2H 更新應用原理圖

注意事項:
① 芯片底部需接地;
SDA引腳在不使用外部溫度傳感器時,也需接上拉電阻電源;
③ 重要更新,更新 2.4G部分RF匹配電路, L4電感值從 1nH修改為 3.9nH,C14電容值從 10nF修改為 22nF。修改原因為優(yōu)化頻偏、優(yōu)化125KHz信號對2.4GHz信號的干擾;
C7電容值 由 2.2uF修改為 100nF

8ba39dac-0e91-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg


多功能應用原理圖

8bb4311c-0e91-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg


NTC測溫 2.4G(BLE)發(fā)射應用原理圖

8c16b9fe-0e91-11ef-a297-92fbcf53809c.jpg


2.4G+125K 應用原理圖

本次更新后的數(shù)據(jù)手冊版本號為:Si24R2H_數(shù)據(jù)手冊_V1.7

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:Si24R2F+ 芯片應用原理圖更新!請聯(lián)系各地經(jīng)銷商獲取最新資料!

文章出處:【微信號:南京中科微電子有限公司,微信公眾號:南京中科微電子有限公司】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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