北一半導體完成B+輪融資，推動SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)化進程
近日，北一半導體科技（廣東）有限公司成功完成了B+輪融資，標志著其碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進程又邁出了堅實的一步。此次融資由上海吾同私募基金管理有限公司領(lǐng)投，總額達到1億元，另有5000萬元投資正進入收尾階段，預計本輪融資總額將高達1.5億元。
北一半導體一直專注于SiC MOSFET技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，SiC作為一種先進的半導體材料，其高溫穩(wěn)定性、高抗輻射性和高導電率等特性使其成為新能源汽車、航空航天和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的理想選擇。此次融資的成功，將進一步推動北一半導體在SiC MOSFET技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)和應用，加速其產(chǎn)業(yè)化進程，為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)革新和發(fā)展貢獻力量。
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