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介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ試驗方法

武漢華頂電力設(shè)備有限公司 ? 2024-05-15 10:34 ? 次閱讀
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武漢華頂電力設(shè)備有限公司生產(chǎn)的HD6000抗干擾高壓異頻介質(zhì)損耗測試儀其原理在前面已經(jīng)講過,tgδ是IR / IC的比值,它能反映電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小,只與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān),而與其體積大小尺寸均沒有關(guān)系。因此,tgδ的測試目的,也是能夠有效地發(fā)現(xiàn)設(shè)備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對小電容設(shè)備,如套管、互感器(電容式)也能夠發(fā)現(xiàn)內(nèi)部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。
但要說明一點的是,針對大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測量時,只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷,而其局部集中性的缺陷可能不會被發(fā)現(xiàn);而對于套管、互感器等小電容量的設(shè)備,測tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷,詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨測試引出線套管的tgδ,也要測套管連同繞組的介損tgδ,就是因為套管若有缺陷時在整體絕緣良好時不能體現(xiàn)出來。
一般設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)都由多層絕緣、多種材料構(gòu)成。如局部有缺陷絕緣用C 1 tgδ1表示,其他良好絕緣用C 2tgδ2表示,兩部分并聯(lián),則有P1 = C 1 tgδ1 P2 = C 2 tgδ2
而總的損耗為P = U2 ωC tgδ ①
U、ω一定時,P與C、tgδ有關(guān), → P = C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 又C = C1 + C2
則 C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2 = C tgδ
tgδ= (C 1 tgδ1 + C 2 tgδ2)/(C1 + C2) ②
若套管電容C 1= 250PF,tgδ1= 5% (超差)
而變壓器電容C 2= 10000PF,tgδ2= 0.4% (良好)
從②式可以看出總tgδ= 0.5 % (合格),可見明顯形成了誤判斷。
設(shè)備的選取及常規(guī)試驗方法:因為精度和靈敏度的原因,一般按照試驗儀器說明書進(jìn)行.一般接線形式主要有二種:正接法:適用于測量兩相對地絕緣的設(shè)備,測試精度較高,如套管和電容式CT的主絕緣tgδ,耦合電容的的tgδ等;反接法:適用于測量一級接地的設(shè)備,儀器的外殼必須接地可靠,如變壓器連同套管和繞組的tgδ,套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法,對角接線等,不同的試驗設(shè)備均有不同的接線形式,取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。
需要說明的是現(xiàn)場試驗時要創(chuàng)造條件,力求測試精度,如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法,應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺,以達(dá)到兩極絕緣的條件。
對于CVT中壓電容的tgδ測試,應(yīng)充分理解儀器的操作程序,按照其說明,操作規(guī)程進(jìn)行試驗。
另外,tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值,是因為溫度對tgδ值的影響較大,一般隨著溫度上升,tgδ值也增大,因此規(guī)定了溫度換算,一般應(yīng)校正到20℃時進(jìn)行與廠家試驗數(shù)據(jù)的比較,換算公式為:
(1) 環(huán)境溫度高于20℃時,tgδ20 = tgδt / A
(2) 環(huán)境溫度低于20℃時,tgδ20 = tgδt * A
A:與20℃溫差***值不同的換算系數(shù),見相關(guān)規(guī)程。
一般操作步驟和注意事項:按試驗儀器的操作規(guī)程與相應(yīng)的作業(yè)指導(dǎo)書相關(guān)條款進(jìn)行操作。試驗應(yīng)良好的天氣、環(huán)境溫度不低于5℃和濕度不大于80%的條件下進(jìn)行,測試前應(yīng)測量被試品各電極間的絕緣電阻,必要時對小套管進(jìn)行清潔和干燥處理。
接地必須牢靠,符合“安規(guī)”中高壓試驗的條款規(guī)定,正接法時低壓側(cè)的引線也應(yīng)有絕緣要求,不得與外殼接觸。
對于試驗電壓的大小,前面提到P = U2 ωC tgδ,P與電壓有關(guān),良好絕緣的tgδ不會隨電壓的升高而明顯增加,但若有內(nèi)部缺陷時則tgδ會隨電壓的升高而明顯增加。因此對于試驗電壓一般為10KV,但對于電容式套管或CT的末屏和電容式電壓互感器中壓電容的tgδ測試時,則應(yīng)降低電壓標(biāo)準(zhǔn)使用2000V或3000V左右。測變壓器的tgδ時應(yīng)將其他側(cè)短接接地。
對試驗結(jié)果的分析:應(yīng)根據(jù)廠家出廠試驗數(shù)據(jù)和預(yù)規(guī)進(jìn)行綜合判斷,尤其應(yīng)注意避免套管末屏的臟污情況,還有環(huán)境溫度、濕度的影響,經(jīng)過出廠測試合格的產(chǎn)品若現(xiàn)場測試值差,一般應(yīng)考慮環(huán)境影響和受潮情況。

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