英特爾正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產。正在順利推進中的Intel 20A和Intel 18A兩個節(jié)點，將繼續(xù)采用EUV技術，并應用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術，助力英特爾于2025年重奪制程領先性。

在“四年五個制程節(jié)點”計劃之后，英特爾將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術推進未來制程節(jié)點的開發(fā)和制造，以鞏固制程領先性。High NA EUV技術是EUV技術的進一步發(fā)展，數(shù)值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線能力的指標。通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統(tǒng)，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個先進制程節(jié)點，Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術。此外，英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數(shù)個演化版本，以幫助客戶開發(fā)和交付符合其特定需求的產品。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術的同時，英特爾也在同步開發(fā)新的晶體管結構，并改進工藝步驟，如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。

將研究成果轉化為可量產、可應用的先進產品，是英特爾50多年來的卓越所在。英特爾將繼續(xù)致力于通過創(chuàng)新技術推進摩爾定律，以推動AI和其它新興技術的發(fā)展。

審核編輯 黃宇