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可控硅保護器件制作方法與應(yīng)用——錯位觸發(fā)原理詳解

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-20 15:44 ? 次閱讀
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截至2024年5月14日,上海維安半導(dǎo)體有限公司的“一種基于錯位觸發(fā)的可控硅保護器件”發(fā)明專利正式公之于眾,其申請公開編號為CN118039639A。

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該項技術(shù)創(chuàng)新結(jié)合了至少一個插指單元,每個單元的核心組件包括:襯底及在襯底一表面上生成的外延層;第一N型阱區(qū)和P型阱區(qū),分別在外延層內(nèi)形成;第一N+區(qū)和第一P+區(qū),分別在第一N型阱區(qū)內(nèi)生成,且第一P+區(qū)與第一N+區(qū)電性相連,構(gòu)成了保護器件的陽極;第三N+區(qū),在P型阱區(qū)內(nèi)生成,其電性輸出端則作為保護器件的陰極;第二N+區(qū)和第二P+區(qū),同樣在外延層內(nèi)生成,其中第二P+區(qū)位于第一N型阱區(qū)遠離P型阱區(qū)的一側(cè),并與第二N+區(qū)直接接觸。此設(shè)計的優(yōu)勢在于,通過將導(dǎo)通路徑與觸發(fā)路徑分離開來,顯著提升了器件的穩(wěn)定性和可靠性。

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