X-FAB更新XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)
全球知名的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries宣布了一項(xiàng)重要更新。公司對(duì)其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)進(jìn)行了全面升級(jí)，推出了全新的40V和60V高壓基礎(chǔ)器件。
這次更新不僅帶來了可擴(kuò)展的SOA，還顯著提升了器件的運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，新一代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低了高達(dá)50%，為眾多關(guān)鍵應(yīng)用提供了更優(yōu)選擇。
尤其值得注意的是，這些新器件特別適用于需要縮小尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。X-FAB的這一創(chuàng)新舉措無疑將推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步，并為客戶帶來更高的性能和成本效益。
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