三星否認(rèn)HBM芯片發(fā)熱問(wèn)題，與全球合作伙伴開(kāi)展測(cè)試
據(jù)報(bào)道，據(jù)傳三星最新款HBM芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，原因是芯片存在發(fā)熱和功耗問(wèn)題。
但三星電子發(fā)表聲明予以否認(rèn)，堅(jiān)稱正與多家全球合作伙伴順利開(kāi)展HBM芯片測(cè)試工作，并持續(xù)與其他商業(yè)伙伴緊密合作，保證產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性。
值得關(guān)注的是，三星近期已經(jīng)大量生產(chǎn)其第五代HBM芯片——容量為24GB（8-Hi）或36GB（12-Hi）的HBM3E產(chǎn)品。
然而，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士及美光相比，三星并未采用1b nm制程DRAM裸片，而是繼續(xù)沿用1a nm顆粒，因此在能耗方面略顯不足。
再加上此次引發(fā)的質(zhì)疑，部分分析師對(duì)三星能否迅速?gòu)腟K海力士手中搶回市場(chǎng)份額產(chǎn)生疑慮。
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