近日，SemiQ已啟動了已知良好芯片 (KGD) 篩選計劃。該計劃提供經(jīng)過電氣分類和光學檢查的高質(zhì)量 SiC MOSFET 技術。該技術已準備好進行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。

SemiQ 的已知良好芯片保證了一致的電氣參數(shù)，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)等設備的構建中依靠可重復的性能來實現(xiàn)高生產(chǎn)線成品率。統(tǒng)一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的耦合。

SemiQ 表示，SiC 是一項強大的技術，支持全球可持續(xù)發(fā)展的努力。眾所周知的優(yōu)質(zhì)芯片 SiC MOSFET具有顯著的性能優(yōu)勢，包括一致的結電容、極小的插入損耗和強大的隔離度，這些對于高頻應用至關重要。該計劃使客戶能夠獲得品質(zhì)優(yōu)良的模具。這些模具將提高生產(chǎn)效率，并在高效應用中提供一致、可靠的性能。

KGD 計劃目前已生效，適用于 SemiQ 的 QSiC? 1200V SiC MOSFET 的整個系列，其電阻范圍為 20mΩ 至 80mΩ。該產(chǎn)品組合有助于在汽車、電動交通、可再生能源、工業(yè)電力和其他應用等多個領域?qū)崿F(xiàn)強大而有效的電氣化。

KGD 設備在被分成單獨的單元后交付，它們可以放置在多種類型的載體介質(zhì)上，例如藍色膠帶、預固化 UV 膠帶或卷帶。這使得客戶可以更輕松地將設備整合到自己的流程中。