據日媒報道，美國美光科技公司將斥資6000~8000億日元（約合277.2~369.6億元人民幣）在日本廣島新建一座DRAM內存晶圓廠。該廠預計將于2026年破土動工，并于2027年底投入運營。

據悉，新廠將采用EUV光刻機技術，并計劃在2025年量產的下一代1-gamma（nm）節(jié)點引入EUV光刻技術。鑒于DRAM行業(yè)的代際周期，新廠有望具備生產1-gamma甚至1-delta DRAM的能力。

原本，美光希望在今年啟動新廠運營，以便在2025年量產后迅速擴大1-gamma DRAM的產能。然而，受半導體行業(yè)尤其是存儲領域衰退影響，美光已調整投資計劃，放慢了產能擴張步伐。

值得注意的是，新廠建設費用中的一部分將由日本經濟產業(yè)省提供補貼，最高金額可達1920億日元（約合88.7億元人民幣）。