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臺積電正面回應!日本芯片廠建設不受影響,仍將全速推進

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2025-07-08 11:29 ? 次閱讀
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近日,有關臺積電放緩日本芯片制造設施投資的傳聞引發(fā)業(yè)界關注。據(jù)《華爾街日報》援引知情人士消息,臺積電因加快美國亞利桑那州 Fab 21 工廠建設,而放緩其在日本的芯片制造設施投資,此舉或為應對美國政府可能對中國臺灣地區(qū)生產(chǎn)芯片征收關稅的風險。然而,臺積電在回應 Tom's Hardware 詢問時明確表示,其在美國亞利桑那州的重大投資計劃,不會影響其在日本和德國的芯片制造工廠計劃。

臺積電發(fā)言人強調(diào),公司不對市場傳聞發(fā)表評論,其全球制造擴張戰(zhàn)略基于客戶需求、商業(yè)機會、運營效率、政府支持程度以及成本經(jīng)濟考量。此前有傳聞稱,臺積電將放緩其在日本熊本附近的 Fab 23 二期(JASM 二期)以及德國德累斯頓附近的 Fab 24 一期(ESMC 一期)的支出,以便優(yōu)先將資金投入亞利桑那州的 Fab 21 工廠,并加快 Fab 21 二期的設備安裝進度。本周早些時候,亦有消息稱臺積電計劃在 2027 年提前數(shù)個季度啟用具備 N3 工藝能力的 Fab 21 二期,而德國和日本的項目則被推遲。

事實上,盡管計劃可能會發(fā)生變化,但這些變化并非總是相互關聯(lián)的,尤其是考慮到這些項目處于不同階段,以及臺積電龐大的資本支出預算(320 億至 420 億美元)和大規(guī)模產(chǎn)能擴張計劃。今年早些時候,臺積電已確認將加快臺積電亞利桑那州 Fab 21 二期的量產(chǎn)啟動時間,以滿足客戶需求,計劃將原定于 2028 年的量產(chǎn)啟動日期提前數(shù)個季度,預計可能在 2027 年。目前,F(xiàn)ab 21 工廠已達到 “封頂里程碑”,正在安裝各種機械、電氣、管道、空氣過濾、空調(diào)及其他系統(tǒng),該項目的下一階段將是安裝實際的半導體生產(chǎn)設備,這是每個工廠項目中最具資本密集性(成本最高)的階段。臺積電首席執(zhí)行官兼董事長魏哲家在 2025 年第一季度財報電話會議中表示:“我們第二個工廠的建設已經(jīng)完成,該工廠將使用 3 納米工藝技術(shù),我們正在加快量產(chǎn)進度,以滿足客戶對人工智能相關需求的強烈增長。” 此外,臺積電計劃在 2025 年晚些時候開始建設 Fab 21 三期和四期的廠房,并計劃在本十年后半葉投產(chǎn)。魏哲家表示:“我們的第三和第四個工廠將使用 N2 和 A16 工藝技術(shù),預計在獲得所有必要許可后,將于今年晚些時候開始建設?!?/p>

反觀臺積電在日本的布局,其第一個工廠 ——Fab 23 一期已于 2024 年 12 月底開始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。公司原計劃今年早些時候開始建設 Fab 23 二期,但由于當?shù)鼗A設施不足,進度推遲。魏哲家在與分析師和投資者的電話會議中表示:“我們第二個專業(yè)工廠的建設預計將于今年晚些時候開始,具體取決于當?shù)鼗A設施的準備情況?!?日本政府代表雖表示未收到臺積電直接以當?shù)亟煌橛傻臏贤?,并對該理由表示懷疑,但仍相信該工廠的生產(chǎn)時間表和產(chǎn)量目標將基本保持不變。因此,除非公司資金不足,否則沒有理由為了加快另一個項目而放慢這一階段的進度,而臺積電顯然不存在資金問題。

同樣的情況也適用于臺積電在德國的項目 —— 與博世、英飛凌和恩智浦合作的 Fab 24 項目,預計將于 2027 年底投產(chǎn)。到目前為止,公司尚未正式開始建造廠房,但建造工廠建筑的成本低于設備安裝成本,因此臺積電不太可能因在美國的大規(guī)模投資項目而推遲 Fab 24 的建設。臺積電始終強調(diào),其工廠的上線時間是基于客戶需求的,美國項目的擴張不會影響其在其他國家的計劃。

來源:半導體芯科技

審核編輯 黃宇

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