CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
在追求環(huán)保與高效能的科技浪潮中，無晶圓廠環(huán)?？萍?a target="_blank">半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）成功研發(fā)了一系列高性能的GaN功率器件。這些器件不僅能效高，還致力于推動電子器件的環(huán)保發(fā)展。
近日，CGD推出了兩款新型ICeGaN?產(chǎn)品系列GaN功率IC封裝。這兩款封裝均具備低熱阻特性，有效減少了能量損失，同時便于進(jìn)行光學(xué)檢查，確保了產(chǎn)品的品質(zhì)與可靠性。兩款封裝均采用了經(jīng)過充分驗(yàn)證的DFN封裝技術(shù)，其堅固耐用的特性為CGD的產(chǎn)品贏得了市場的廣泛認(rèn)可。
CGD的這一創(chuàng)新不僅展現(xiàn)了公司在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的實(shí)力，也為全球環(huán)保與高效能的科技發(fā)展貢獻(xiàn)了一份力量。
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