chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2025-03-19 11:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,納維塔斯半導體公司在亞特蘭大舉行的APEC 2025大會上,宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC),此舉被業(yè)界譽為在可再生能源和電動汽車等高功率應用領域的“范式轉(zhuǎn)變”。納維塔斯首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人基恩·謝里丹在新聞發(fā)布會上指出,這款新型雙向GaN IC在效率、體積、重量和成本等多個方面都達到了行業(yè)頂尖水平。

納維塔斯在大會上推出的雙向GaNFast功率IC和IsoFast雙通道隔離GaN驅(qū)動器,通過將兩款設備配合使用,可以顯著簡化傳統(tǒng)兩級轉(zhuǎn)換器的設計,減少所需的多個笨重組件。這種創(chuàng)新技術(shù)有望在太陽能和可再生能源、車載充電器及各種能源存儲系統(tǒng)等多個數(shù)十億美元的市場中發(fā)揮重要作用。

雙向GaN IC采用單芯片設計,集成了合并的漏極結(jié)構(gòu)、兩個柵極控制和自主基板夾。這種設計使得雙向開關(guān)轉(zhuǎn)換器(BDS)能夠在雙向上處理電流和電壓,并且可以在任何頻率下進行切換。

相較于傳統(tǒng)的兩級設計,BDS能夠替代四個設備,并起到兩個背靠背功率開關(guān)的作用。謝里丹詳細解釋,當前大多數(shù)電力系統(tǒng)都包括兩個階段:連接到交流電網(wǎng)的功率因數(shù)校正(PFC)電路和用于提供所需電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器,該設計通常需要使用笨重的直流連接緩沖電容。

“有了雙向技術(shù),兩級轉(zhuǎn)換器將成為歷史,”謝里丹強調(diào),“我們徹底消除了第二個階段,納維塔斯的單級轉(zhuǎn)換器不僅成本低、密度高、重量輕,而且制造更簡單、可靠性更高?!?/p>

納維塔斯的新設計顯著減少了設備的體積和重量。工程副總裁賈森·張通過比較兩個特斯拉車載充電器(OBC)展示了這一點。傳統(tǒng)的單級OBC高約五英寸,而新型單級OBC僅高約兩英寸,且輕了30%,同時占用了更少的空間。

張還展示了OBC內(nèi)部的電路板,進一步說明了單級系統(tǒng)如何有效消除笨重組件并實現(xiàn)全面表面貼裝。

為了控制雙向開關(guān)的兩個柵極,納維塔斯開發(fā)了IsoFast,這是一款電氣隔離的高速驅(qū)動器,能夠驅(qū)動GaN BDS IC及類似的GaN/SiC設備。IsoFast的瞬態(tài)抗擾度比現(xiàn)有驅(qū)動器高出四倍,能夠處理高達200 V/ns的瞬態(tài)電壓,且不需要外部負偏置電源

此外,納維塔斯的專利技術(shù)還包括一款單片集成的主動基板夾,這一創(chuàng)新可自動將基板連接到電壓最低的源端子,消除背柵效應,從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

謝里丹表示,納維塔斯的雙向GaNFast功率IC將極大地推動可再生能源和電動汽車設備的開發(fā),能夠減少所需組件的數(shù)量,從而降低總體成本。他指出:“整個第一階段的PFC將不再存在,電解電容器和直流連接電容器也將消失。這種設計本質(zhì)上是軟開關(guān),使我們能夠充分利用高頻優(yōu)勢,顯著縮小系統(tǒng)中被動組件的體積?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2277

    瀏覽量

    78568
  • 功率IC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    50

    瀏覽量

    11244
  • Navitas
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    8

    瀏覽量

    4227
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    ACM8816 300W大功率單聲道數(shù)字功放IC、國內(nèi)氮化鎵音頻功率放大器

    深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵,48V供電時,驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的
    的頭像 發(fā)表于 07-21 15:05 ?2427次閱讀
    ACM8816   300W大<b class='flag-5'>功率</b>單聲道數(shù)字功放<b class='flag-5'>IC</b>、國內(nèi)<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>氮化鎵音頻<b class='flag-5'>功率</b>放大器

    SGK5872-20A 是一功率 GaN-HEMT,其內(nèi)部匹配標準通信頻段,可提供最佳功率和線性度。

    :SGK5872-20A 是一功率 GaN-HEMT,其內(nèi)部匹配標準通信頻段,可提供最佳功率和線性度。 現(xiàn)貨庫存qq:419341947
    發(fā)表于 06-16 16:18

    BM6GD11BFJ-LB羅姆面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)

    ? 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“ BM6GD
    的頭像 發(fā)表于 06-04 14:11 ?2.9w次閱讀
    BM6GD11BFJ-LB羅姆<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>面向高耐壓<b class='flag-5'>GaN</b>器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器<b class='flag-5'>IC</b>開始量產(chǎn)

    納微半導體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導體剛剛發(fā)布全球量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?1695次閱讀
    納微半導體<b class='flag-5'>雙向</b>氮化鎵開關(guān)深度解析

    全球!英飛凌推出集成SBD的GaN FET產(chǎn)品

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日英飛凌推出全球集成SBD(肖特基二極管)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過減少不
    的頭像 發(fā)表于 04-28 00:19 ?2719次閱讀
    <b class='flag-5'>全球</b><b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>!英飛凌<b class='flag-5'>推出</b>集成SBD的<b class='flag-5'>GaN</b> FET產(chǎn)品

    功率GaN的新趨勢:GaN BDS

    電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān),即GaN BDS(Bidirect
    發(fā)表于 04-20 09:15 ?1024次閱讀

    納微半導體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

    唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵(GaN功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布全球
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:49 ?2479次閱讀
    納微半導體發(fā)布<b class='flag-5'>雙向</b>GaNFast氮化鎵<b class='flag-5'>功率</b>芯片

    氮化鎵(GaN功率IC在電機逆變器中的應用: 優(yōu)勢、實際應用案例、設計考量

    介紹了氮化鎵(GaN功率IC在電機逆變器中的應用,對比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢、實際應用案例、設計考量及結(jié)論。 *附件
    的頭像 發(fā)表于 03-12 18:47 ?1621次閱讀
    氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>IC</b>在電機逆變器中的應用: 優(yōu)勢、實際應用案例、設計考量

    CERNEX窄帶高功率放大器(GaN

    CERNEX窄帶高功率放大器(GaN) CERNEX推出的CNP GaN系列窄帶高功率放大器專為多種通用應用場景而設計,涵蓋實驗室測試設備、
    發(fā)表于 02-21 10:39

    TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設計

    此參考設計展示了一具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:11 ?1011次閱讀
    TIDA-010933 基于<b class='flag-5'>GaN</b>的 1.6kW <b class='flag-5'>雙向</b>微型逆變器參考設計

    三星電機推出全球超小型高容量MLCC

    近日,三星電機(Samsung Electro-Mechanics)宣布成功推出全球專為自動駕駛激光雷達設計的1005尺寸超小型高容量多層陶瓷電容器(MLCC)。
    的頭像 發(fā)表于 02-10 17:37 ?918次閱讀

    用于高頻、大功率工業(yè)電機驅(qū)動的GaN功率IC創(chuàng)新

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高頻、大功率工業(yè)電機驅(qū)動的GaN功率IC創(chuàng)新.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-24 13:59 ?0次下載
    用于高頻、大<b class='flag-5'>功率</b>工業(yè)電機驅(qū)動的<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>IC</b>創(chuàng)新

    ABLIC發(fā)布全球125℃高溫工作車載1節(jié)電池保護IC

    美蓓亞三美株式會社旗下的艾普凌科有限公司(ABLIC)近日正式推出全球支持125℃高溫工作的車載用1節(jié)電池保護IC——「S-19161
    的頭像 發(fā)表于 01-17 11:44 ?743次閱讀

    業(yè)內(nèi)1700V氮化鎵開關(guān)IC登場!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

    鎵開關(guān)IC,這是業(yè)內(nèi)高達1700V的氮化鎵開關(guān)IC。新品一出,PI再次成為在氮化鎵領域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業(yè)。 PI的功率
    的頭像 發(fā)表于 11-18 08:57 ?5711次閱讀
    業(yè)內(nèi)<b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>1700V氮化鎵開關(guān)<b class='flag-5'>IC</b>登場!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

    英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效

    已獲認可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球300mm氮化鎵(GaN功率半導體晶圓和在馬來西亞居林
    的頭像 發(fā)表于 10-31 08:04 ?728次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>全球</b>最薄硅<b class='flag-5'>功率</b>晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效