在近日結(jié)束的ISPSD2024征稿評(píng)比中，安建半導(dǎo)體憑借其在碳化硅領(lǐng)域的卓越技術(shù)實(shí)力，成功脫穎而出，榮獲口頭報(bào)告機(jī)會(huì)。此次評(píng)比中，口頭報(bào)告的錄取率僅為12.4%，競(jìng)爭(zhēng)激烈，但安建半導(dǎo)體憑借獨(dú)立研發(fā)的成果，再次證明了其技術(shù)和創(chuàng)新能力。

第36屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際研討會(huì)于2024年6月2日至6日在德國(guó)不來(lái)梅盛大舉行。安建半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)理劉永博士受邀出席此次盛會(huì)，并發(fā)表關(guān)于1200V級(jí)SiC器件技術(shù)突破的口頭報(bào)告。這一報(bào)告不僅展示了安建半導(dǎo)體在碳化硅器件領(lǐng)域的最新研究成果，也彰顯了其作為行業(yè)領(lǐng)軍者的技術(shù)實(shí)力。

自成立以來(lái)，安建半導(dǎo)體一直致力于碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新與研發(fā)。公司建立了完整的器件設(shè)計(jì)、測(cè)試、可靠性驗(yàn)證管理系統(tǒng)，為產(chǎn)品的質(zhì)量和性能提供了堅(jiān)實(shí)的保障。此次在國(guó)際研討會(huì)上的亮相，再次證明了安建半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

未來(lái)，安建半導(dǎo)體將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，深耕碳化硅領(lǐng)域，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)，推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。