CGD推出高效環(huán)保GaN功率器件
近日，無晶圓廠環(huán)?？萍?a target="_blank">半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
這款新型ICeGaN GaN功率IC采用了創(chuàng)新的芯片和封裝設(shè)計，具備超低導通電阻（RDS(on)）的特點。其中，ICeGaN P2系列IC的RDS(on)更是低至25 mΩ，足以支持多kW功率應(yīng)用，并在使用過程中展現(xiàn)出超高的效率。
這款GaN功率IC的推出，為數(shù)據(jù)中心、逆變器、電機驅(qū)動器和其他工業(yè)電源等高功率應(yīng)用帶來了顯著的性能提升。其高效能不僅有助于減少能源消耗，還能有效減少熱量產(chǎn)生，進一步提高了設(shè)備的可靠性和使用壽命。
作為一家無晶圓廠公司，CGD專注于氮化鎵技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，致力于通過創(chuàng)新技術(shù)推動電子產(chǎn)業(yè)的綠色發(fā)展。此次推出的高效環(huán)保GaN功率器件，正是CGD在環(huán)?？萍碱I(lǐng)域取得的又一重要成果。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關(guān)注
關(guān)注
336文章
29985瀏覽量
258279 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2054瀏覽量
94602 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
66文章
1858瀏覽量
119211
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直GaN的GaN層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓
安森美垂直GaN技術(shù)賦能功率器件應(yīng)用未來
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓
Leadway GaN系列模塊的功率密度
場景提供高性價比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠超傳統(tǒng)硅基器件
發(fā)表于 10-22 09:09
CGD與格芯（GlobalFoundries）合作供應(yīng)單芯片、高可靠性和高效率的 ICeGaN? 功率器件
（CGD） 13日宣布與領(lǐng)先的半導體代工企業(yè)格芯（GlobalFoundries，簡稱 GF）達成合作伙伴關(guān)系。此次合作強化了 CGD 的無晶圓廠戰(zhàn)略，拓展了其 ICeGaN? 功率器件
基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計
當今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓撲。
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯κ惺?b class='flag-5'>GaN與SiC
功率GaN的新趨勢：GaN BDS
電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關(guān)）。這是一
發(fā)表于 04-20 09:15
?1247次閱讀
CGD官宣突破性技術(shù)：以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動超百億美元新能源車主驅(qū)逆變器市場
效氮化鎵功率器件、以創(chuàng)新技術(shù)簡化環(huán)保節(jié)能電子系統(tǒng)設(shè)計的無晶圓廠環(huán)保技術(shù)半導體企業(yè)。今日CGD宣布推出
發(fā)表于 03-11 10:57
?856次閱讀
CGD 官宣突破100kW以上技術(shù)，推動GaN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計和運行。CGD
發(fā)表于 03-11 09:47
?721次閱讀
CERNEX窄帶高功率放大器（GaN）
高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構(gòu)，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP
發(fā)表于 02-21 10:39
CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領(lǐng)域的增長
? ????? CGD 的技術(shù)幫助電動汽車和數(shù)據(jù)中心提高能效，為全球功率半導體行業(yè)帶來重大機遇 ? 2025 年 2 月 18 日 英國劍橋 - 氮化鎵（GaN）功率
發(fā)表于 02-20 11:37
?360次閱讀
CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領(lǐng)域的增長
2025 年 2 月 19 日 英國劍橋 - 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD)
發(fā)表于 02-19 09:24
?345次閱讀
垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領(lǐng)域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直
Qorvo攜手CGD推出高效能電機控制評估套件
全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商Qorvo (納斯達克股票代碼: QRVO)最近攜手無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)，合作推出了結(jié)合雙
CGD：氮化鎵技術(shù)是實現(xiàn)高效率的“版本答案”
網(wǎng)策劃了《2025年半導體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到數(shù)十位國內(nèi)外半導體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點。其中，電子發(fā)燒友特別采訪了CGD（Cambridge GaN Devices）首席營銷官Andrea Bricconi，以下是他對2025年半導體市場的分析與展望。 ?
發(fā)表于 12-25 14:41
?965次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論