介紹
湖南靜芯推出RS485總線防護(hù)用業(yè)內(nèi)最大功率800W(競(jìng)品600W)ESD器件SENC712HA，該器件在SOT-23封裝內(nèi)集成了兩路非對(duì)稱電壓（-7V~12V）的ESD防護(hù)器件，和業(yè)內(nèi)競(jìng)品相比通流能力顯著提升，鉗位電壓顯著下降，能對(duì)RS485芯片提供更好的靜電和浪涌防護(hù)。

RS485測(cè)試要求
在工業(yè)、電力、自動(dòng)化及儀器儀表應(yīng)用中，RS-485總線標(biāo)準(zhǔn)是使用最廣泛的物理層總線設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)之一，由于工作在惡劣電磁環(huán)境下，為了確保數(shù)據(jù)端口能夠正常工作，芯片必須符合電磁兼容性(EMC)法規(guī)：IEC 61000-4-2靜電放電(ESD)；IEC61000-4-4電快速瞬變(EFT)；IEC 61000-4-5浪涌抗擾度(Surge)。靜芯公司的SENC712HA尖峰脈沖功率高達(dá)800W，在同等的測(cè)試環(huán)境中，擁有更高的峰值電流Ipp、更強(qiáng)的防浪涌能力、更低的鉗位電壓。
在RS-485端口的EMC設(shè)計(jì)中，我們需要重點(diǎn)考慮三個(gè)因素:靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)和浪涌(Surge)。 國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)規(guī)范定義了一組EMC抗擾度要求，這組規(guī)范包括以下三種類型的高電壓瞬變，設(shè)計(jì)人員需要確保數(shù)據(jù)通信線路不受這些瞬變的損害。這三種類型分別是:
A、IEC 61000-4-2靜電放電(ESD)
B、IEC61000-4-4電快速瞬變(EFT)
C、IEC 61000-4-5浪涌抗擾度(Surge)
2.1 靜電放電ESD/IEC 61000-4-2
靜電放電（ESD）事件是指兩個(gè)具有不同靜電電勢(shì)的物體之間的能量轉(zhuǎn)移。靜電放電可以通過(guò)接觸或電離環(huán)境放電而發(fā)生。
IEC 61000-4-2的波形如圖1所示，上升時(shí)間定義在0.7ns到1ns之間：

圖1 ?IEC 6100-4-2 波形

測(cè)試方案的有不同的級(jí)別，對(duì)于空氣或接觸放電測(cè)試，他們的測(cè)試電壓不同，如表1：

表1 波形參數(shù)符合 IEC 61000-4-2

2.2 浪涌抗擾度Surge/IEC 61000-4-5
該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了非帶電電子元件的人工操作。這些操作可以包括拿起設(shè)備進(jìn)行測(cè)試或?qū)⒃O(shè)備安裝在印刷電路板（PCB）上。
IEC 61000-4-5波形如圖2，圖3所示：
(1)電壓波：

8/20浪涌電壓波

前沿時(shí)間：T1=1.67T=1.2s30%
半峰時(shí)間：T2=50s20%

(2)電流波

8/20浪涌電流波

前沿時(shí)間：T1=1.25T=8s20%
半峰時(shí)間：T2=20s20%
8/20浪涌是描述雷電感應(yīng)過(guò)電壓的一種特定波形，通過(guò)了解其特性和產(chǎn)生原因，可以選擇合適的浪涌保護(hù)器來(lái)保護(hù)電氣系統(tǒng)免受雷電等電氣瞬態(tài)事件的損害。
3.參數(shù)對(duì)比
靜芯微的SENC712HA,尖峰脈沖功率高達(dá)800W相較于市面上的同類型防護(hù)器件，在同等的測(cè)試環(huán)境中，擁有更高的峰值電流Ipp，更強(qiáng)的防浪涌能力，更低的鉗位電壓。SENE712HA與市面上比較熱門的712芯片的參數(shù)對(duì)比，如圖4所示：

圖4 ?參數(shù)對(duì)比

我們將用SENC712HA與競(jìng)品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試，讓他們分別與ES3088E進(jìn)行靜電，浪涌測(cè)試。
4.測(cè)試方法
為了評(píng)估ES3088E在應(yīng)用中與ESD器件的性能，測(cè)試板如圖6所示：

圖6 ?測(cè)試板

在測(cè)試板中，U9焊接ES3088E,TVS1與TVS2中間焊接ESD靜電防護(hù)器件。
我們分別對(duì)ES3088E,SENC712HA與ES3088E,競(jìng)品分別進(jìn)行靜電測(cè)試，靜點(diǎn)測(cè)試設(shè)備為ESD61002TB,設(shè)備如圖7所示：

圖7 ?ESD靜電測(cè)試設(shè)備整機(jī)圖

測(cè)試數(shù)據(jù)如圖8所示。

圖8 ?ESD靜電測(cè)試數(shù)據(jù)

通過(guò)數(shù)據(jù)可知，SENC712HA與競(jìng)品在靜電防護(hù)上，不管是接觸放電還是空氣放電，穩(wěn)定性更好，防護(hù)能力更強(qiáng)。接下來(lái)對(duì)他們進(jìn)行Surge浪涌測(cè)試。測(cè)試設(shè)備為TVS8/20TC，如圖9所示：

圖9 ?8/20浪涌測(cè)試設(shè)備整機(jī)圖

ES3088E與SENC712HA,A or B通道到GND浪涌測(cè)試,110V浪涌測(cè)試電壓PASS，測(cè)試波形如圖9所示：

圖9 ?90V浪涌測(cè)試波形圖（PASS）

圖9 100V浪涌測(cè)試波形圖（PASS）

圖9 110V浪涌測(cè)試波形圖（PASS）

ES3088E與712競(jìng)品,A or B通道到GND浪涌測(cè)試,70V浪涌測(cè)試電壓FAIL，測(cè)試波形如圖10所示：

圖10 ?50V浪涌測(cè)試波形圖（70V FAIL） 圖10 ?60V浪涌測(cè)試波形圖（70V FAIL） 圖10 ?70V浪涌測(cè)試波形圖（70V FAIL）

ES3088E與SENC712HA,A到B浪涌測(cè)試,60V浪涌測(cè)試電壓PASS，測(cè)試波形如圖11所示：

圖11 ?50V浪涌測(cè)試波形圖（PASS） 圖11 ?60V浪涌測(cè)試波形圖（PASS）

ES3088E與712競(jìng)品,A到B浪涌測(cè)試,60V浪涌測(cè)試電壓FAIL，測(cè)試波形如圖12所示：

圖12 ?50V 浪涌測(cè)試波形圖（60V FAIL） 圖12 ?60V浪涌測(cè)試波形圖（60V FAIL）

測(cè)試數(shù)據(jù)匯總?cè)鐖D14所示：

圖13 ?8/20浪涌測(cè)試匯總

從測(cè)試結(jié)果得出，我司研制的SENC712HA與其他712競(jìng)品有著更優(yōu)異的防浪涌能力，更低的鉗位電壓，更高的峰值電流，對(duì)RS485有著更好的靜電和浪涌防護(hù)能力。

5.應(yīng)用信息

圖14 典型應(yīng)用圖

SENC712HA這款ESD產(chǎn)品擁有800W的峰值功率，較高的峰值電流，快速的響應(yīng)速度以及較低的鉗位電壓，相比與市場(chǎng)上其他712產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)明顯，能夠提供更好的防護(hù)效果。
展望未來(lái)，靜芯微將繼續(xù)深耕產(chǎn)品研發(fā)，致力于提升產(chǎn)品的性能表現(xiàn)，以滿足不斷變化的市場(chǎng)需求。同時(shí)，通過(guò)持續(xù)優(yōu)化質(zhì)量管理體系和客戶服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)，靜芯微將致力于為終端用戶提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案，以此不斷鞏固并提升其產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

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審核編輯 黃宇