主板CPU和GPU供電部分的組成一般由電容、電感和MOSFET三部分構(gòu)成，一般來說，主板上的1個電感+2個電容+4個MOS管為1相供電，當然也有六相供電、八相供電。

這些供電相數(shù)不僅關(guān)系到主板的穩(wěn)定性和耐用性，還直接影響到CPU和GPU的性能表現(xiàn)。多相供電設計能夠更有效地分散電流負載，減少每一相供電的工作壓力，從而降低熱量產(chǎn)生，提高供電效率。

MOSFET是供電電路中的開關(guān)元件，它負責控制電流的通斷。在主板供電系統(tǒng)中，MOSFET的數(shù)量和質(zhì)量直接影響著供電的效率和穩(wěn)定性。足夠的MOSFET數(shù)量能夠確保電流的穩(wěn)定供應，而高質(zhì)量的MOSFET則能夠減少能量損耗，提高供電效率。

整體一個過程由PWM產(chǎn)生各相的信號，各相的MOSFET Driver控制各相上橋和下橋MOSFET的開關(guān)，各相電感與輸出濾波電容儲能，輸出濾波電容再為CPU供電。

MOSFET為受到柵極電壓控制的開關(guān)，對這一相的輸出電感進行充電和放電，就在輸出端得到一個穩(wěn)定的電壓，每相電路都要有上橋和下橋，所以每相至少有兩顆MOSFET，而上橋和下橋都可以用并聯(lián)兩三顆代替一顆來提高導通能力，因而每相還可能看到總數(shù)為三顆、四顆甚至五顆的MOSFET。

在主板的DC-DC轉(zhuǎn)換電路中，MOS管是功耗很大的一個元件，同時溫度時的高溫也使得它在超頻時極易燒毀，因此低Qg，低內(nèi)阻，低開關(guān)損耗是相當重要的參數(shù)。

在主板供電設計的選擇上，多相供電不僅意味著更高的穩(wěn)定性和效率，也是超頻愛好者們的首選。這是因為多相供電設計在處理大電流時，能更好地將負載分散到多個相位上，從而減少了單個相位的工作壓力，降低了因電流過大而產(chǎn)生的熱量，提升了主板的散熱性能。

對于MOSFET的選擇，其性能參數(shù)如Qg（柵極電荷）、內(nèi)阻和開關(guān)損耗等，都直接影響到供電效率和穩(wěn)定性。低Qg意味著MOSFET的開關(guān)速度更快，響應更迅速；低內(nèi)阻則能減少電流通過時的能量損失；低開關(guān)損耗則意味著在開關(guān)過程中產(chǎn)生的熱量更少，有助于保持主板的低溫運行。

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科晟korsun推薦型號如下：

KSN50N03X、KSN3076X、KSN70N03X、KSN3088X

KSN3072Q、KSN60N03Q、KSN100N03Q、KSN7446Q

以上型號均可用在DC-DC拓撲結(jié)構(gòu)中。

審核編輯 黃宇