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長飛先進與懷柔實驗室攜手推進碳化硅技術(shù),共筑綠色低碳未來

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2024-08-06 09:44 ? 次閱讀
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近日,長飛先進半導體有限公司(以下簡稱“長飛先進”)與懷柔實驗室在北京聯(lián)合舉辦了碳化硅項目科技成果合作轉(zhuǎn)化意向簽約儀式,標志著雙方在推動碳化硅功率器件先進技術(shù)研發(fā)及成果轉(zhuǎn)化方面邁出了堅實的一步。此次合作不僅是對雙方技術(shù)實力與戰(zhàn)略眼光的認可,更是對全球能源綠色低碳轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展目標的有力支持。

懷柔實驗室,作為國家戰(zhàn)略科技力量的核心成員,憑借其獨特的新型舉國體制優(yōu)勢,深耕能源領(lǐng)域,致力于戰(zhàn)略性、基礎性、前瞻性的科技創(chuàng)新。其研究方向緊密貼合國家重大需求,為能源技術(shù)的突破與產(chǎn)業(yè)升級提供了強大的智力支撐和平臺保障。

長飛先進,作為國內(nèi)碳化硅功率半導體領(lǐng)域的先行者,自創(chuàng)立以來便專注于該領(lǐng)域的研發(fā)與制造,是國內(nèi)最早具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測完整產(chǎn)業(yè)鏈的IDM企業(yè)之一。公司憑借深厚的技術(shù)積累和強大的生產(chǎn)能力,已成功推出涵蓋650V至3300V電壓范圍的SiC SBD(肖特基勢壘二極管)和SiC MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)系列產(chǎn)品,其產(chǎn)能規(guī)模在國內(nèi)同行業(yè)中名列前茅,展現(xiàn)出強勁的市場競爭力和廣闊的發(fā)展前景。

此次合作,雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢,共同探索碳化硅功率器件的前沿技術(shù),加速科技成果的轉(zhuǎn)化與應用。通過深度合作,雙方旨在推動碳化硅功率器件在新能源汽車、智能電網(wǎng)工業(yè)控制等關(guān)鍵領(lǐng)域的廣泛應用,助力能源系統(tǒng)的高效、清潔、智能化升級,為實現(xiàn)碳達峰、碳中和目標貢獻力量。

展望未來,長飛先進與懷柔實驗室的攜手合作,必將在碳化硅功率器件領(lǐng)域掀起新的技術(shù)革命和產(chǎn)業(yè)浪潮,共同開創(chuàng)綠色低碳、可持續(xù)發(fā)展的美好未來。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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