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三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術再突破

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2024-08-07 11:21 ? 次閱讀
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三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術已進入量產(chǎn)階段,再次引領內(nèi)存技術潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現(xiàn)了對上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減,縮減幅度高達9%,展現(xiàn)了三星在內(nèi)存封裝技術上的深厚積累和創(chuàng)新能力。

該內(nèi)存封裝不僅以極致纖薄著稱,更在性能上實現(xiàn)了質的飛躍。通過采用先進的12nm級LPDDR DRAM技術,并巧妙設計4堆棧、每堆棧2層的結構,三星成功打造出既輕薄又強大的內(nèi)存解決方案。此次量產(chǎn)的LPDDR5X內(nèi)存封裝提供12GB與16GB兩種容量版本,滿足不同應用場景的多樣化需求。

尤為值得一提的是,這款內(nèi)存在耐熱性能上也實現(xiàn)了顯著提升,較之前代產(chǎn)品提升了21.2%,這一進步無疑為移動設備在高強度使用下的穩(wěn)定性與耐用性提供了更強有力的保障。三星電子的這一創(chuàng)新成果,無疑將為智能手機、平板電腦等移動設備市場注入新的活力,推動整個行業(yè)向更加輕薄、高效、可靠的方向發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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