在最近的FMS 2024峰會上，SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力，率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品，再次引領存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術(shù)領域的領先地位，也為未來的移動設備性能提升奠定了堅實基礎。

根據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會官網(wǎng)的最新信息，目前廣泛采用的UFS規(guī)范為2022年8月發(fā)布的UFS 4.0，該標準已實現(xiàn)了每個設備至高46.4Gbps的理論接口速度。而SK 海力士此次推出的UFS 4.1通用閃存，預計將在傳輸速率上實現(xiàn)新的飛躍，為用戶帶來更加流暢的數(shù)據(jù)讀寫體驗。

此次展示的UFS 4.1通用閃存包含兩款產(chǎn)品，容量分別為512GB和1TB，均采用了先進的321層堆疊V9 1Tb TLC NAND閃存技術(shù)。這種技術(shù)不僅提升了存儲密度，還優(yōu)化了數(shù)據(jù)傳輸效率，使得SK 海力士的UFS 4.1產(chǎn)品在容量和速度上均達到了行業(yè)領先水平。

值得注意的是，SK 海力士在V9 NAND閃存技術(shù)上的探索并未止步。除了已公布的1Tb容量、2.4Gbps速率TLC產(chǎn)品外，公司還首次展示了容量業(yè)界領先的3.2Gbps V9 2Tb QLC以及3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC顆粒，進一步豐富了其NAND閃存產(chǎn)品線。

此外，SK 海力士還展示了可提升數(shù)據(jù)管理效率的ZUFS（分區(qū)UFS，Zoned UFS）樣品，這些樣品均基于V7 512Gb TLC NAND，提供512GB和1TB的存儲容量選項。公司此前已宣布其ZUFS 4.0產(chǎn)品將于今年第三季度進入量產(chǎn)階段，預示著這一創(chuàng)新技術(shù)將很快進入實際應用階段。

綜上所述，SK 海力士在FMS 2024峰會上的展示再次證明了其在存儲技術(shù)領域的創(chuàng)新能力和領先地位。隨著UFS 4.1通用閃存的推出，我們有理由相信，未來的移動設備將擁有更加出色的性能和更加豐富的存儲選擇。