全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)領(lǐng)軍者Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措，旨在持續(xù)強(qiáng)化其NextPower系列MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的產(chǎn)品陣容。此次擴(kuò)充聚焦于80V和100V MOSFET產(chǎn)品，通過引入多款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化5x6mm與8x8mm封裝尺寸的新型LFPAK器件，進(jìn)一步豐富了市場(chǎng)選擇。

這些新推出的NextPower 80/100V MOSFET，經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)低RDS(on)（導(dǎo)通電阻）和低Qrr（反向恢復(fù)電荷）的極致優(yōu)化，為服務(wù)器、電源系統(tǒng)、快速充電器、USB-PD應(yīng)用以及廣泛的電信設(shè)備、電機(jī)控制系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備提供了前所未有的高效能與低尖峰性能。這一創(chuàng)新不僅有助于減少能源損耗，還顯著提升了設(shè)備的整體運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。

設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以根據(jù)具體需求，靈活選擇80V或100V的器件，RDS(on)范圍廣泛覆蓋從1.8mΩ至15mΩ，滿足從低功耗到高功率處理的各種應(yīng)用場(chǎng)景。Nexperia的這一舉措，不僅彰顯了其在半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的深厚實(shí)力，也再次證明了其對(duì)市場(chǎng)需求的精準(zhǔn)把握和快速響應(yīng)能力。

隨著全球?qū)Ω咝?、低能耗解決方案需求的不斷增長，Nexperia的NextPower MOSFET系列無疑將為推動(dòng)各行各業(yè)的綠色可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量，開啟半導(dǎo)體技術(shù)賦能新時(shí)代。