傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

產(chǎn)品線與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B2M SiC MOSFET：基于6英寸晶圓平臺(tái)，具備高可靠性（車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證）、低導(dǎo)通電阻（比一代降低40%）、低開(kāi)關(guān)損耗（總損耗降低30%），適用于光伏、新能源汽車(chē)、充電樁等領(lǐng)域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B3M SiC MOSFET：BASiC基本股份第三代技術(shù)，比導(dǎo)通電阻進(jìn)一步降低20%，芯片面積縮小30%，F(xiàn)OM優(yōu)化5%，支持高頻應(yīng)用，覆蓋車(chē)規(guī)級(jí)模塊和工業(yè)場(chǎng)景。

工業(yè)模塊系列：如Pcore?系列、低損耗、支持高溫焊料和Press-Fit工藝，應(yīng)用于光伏逆變器、APF、儲(chǔ)能PCS、高頻DCDC等高端領(lǐng)域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以?xún)?nèi)功率器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)推出正激 DCDC 開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過(guò)OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)于驅(qū)動(dòng)正負(fù)壓供電的需求，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供自研電源IC BTP1521F系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350系列。

性能對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌

在高溫條件下（如175℃），BASiC基本股份B2M的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）表現(xiàn)優(yōu)于部分國(guó)際品牌，且擊穿電壓（BV）裕量更高。

動(dòng)態(tài)參數(shù)（如開(kāi)關(guān)損耗、體二極管續(xù)流性能）接近或部分超越國(guó)際競(jìng)品，驅(qū)動(dòng)電壓建議為+18V以?xún)?yōu)化性能。

可靠性驗(yàn)證

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET通過(guò)HTRB、HTGB、HV-H3TRB等嚴(yán)苛測(cè)試（1000小時(shí)以上），柵氧TDDB測(cè)試顯示壽命預(yù)測(cè)超萬(wàn)年，滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)長(zhǎng)期穩(wěn)定性需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET加嚴(yán)測(cè)試（2500小時(shí)）進(jìn)一步驗(yàn)證產(chǎn)品在極端條件下的可靠性。

應(yīng)用領(lǐng)域全覆蓋

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊覆蓋光伏、新能源汽車(chē)（OBC、高壓DCDC、主驅(qū)動(dòng)）、充電樁、工業(yè)電焊機(jī)、儲(chǔ)能變流器（PCS）、測(cè)試電源等核心市場(chǎng)，提供從分立器件到模塊的完整解決方案。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在碳化硅功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化中的作用

技術(shù)自主化突破

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過(guò)自主研發(fā)的平面槽和溝槽柵技術(shù)，打破國(guó)際廠商在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，縮小與國(guó)際一流產(chǎn)品的性能差距。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)6英寸晶圓平臺(tái)和自研第三代芯片技術(shù)的應(yīng)用，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC器件從“可用”向“好用”升級(jí)。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與國(guó)產(chǎn)替代

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證產(chǎn)品（如AB2M系列），助力新能源汽車(chē)關(guān)鍵部件（如OBC、電驅(qū)系統(tǒng)）實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代，降低對(duì)進(jìn)口器件的依賴(lài)。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在光伏、儲(chǔ)能等新能源領(lǐng)域，高可靠、低損耗的SiC模塊幫助國(guó)內(nèi)企業(yè)提升系統(tǒng)效率，增強(qiáng)全球競(jìng)爭(zhēng)力。

標(biāo)準(zhǔn)制定與行業(yè)引領(lǐng)

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過(guò)公開(kāi)對(duì)標(biāo)數(shù)據(jù)（如與國(guó)際品牌的性能對(duì)比），樹(shù)立國(guó)產(chǎn)SiC器件的技術(shù)標(biāo)桿，推動(dòng)行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)完善的可靠性測(cè)試體系（如AEC-Q101、MIL-STD）為國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體樹(shù)立質(zhì)量標(biāo)桿，提升市場(chǎng)信任度。

市場(chǎng)拓展與生態(tài)建設(shè)

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景提供定制化解決方案，加速SiC技術(shù)在國(guó)內(nèi)工業(yè)市場(chǎng)的普及。

與電力電子終端企業(yè)深度合作（如定制開(kāi)發(fā)驅(qū)動(dòng)板、熱仿真服務(wù)），構(gòu)建國(guó)產(chǎn)SiC生態(tài)鏈，推動(dòng)全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

結(jié)論：BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過(guò)技術(shù)迭代、可靠性驗(yàn)證和全場(chǎng)景覆蓋，成為國(guó)產(chǎn)SiC功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端功率半導(dǎo)體的空白，更在新能源、汽車(chē)電子等戰(zhàn)略領(lǐng)域助力中國(guó)實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

審核編輯 黃宇