chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級

要長高 ? 2024-08-26 16:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

自去年以來,氮化鎵(GaN)功率半導體市場持續(xù)升溫,成為半導體行業(yè)的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術(shù)公司,加速在這一領域的布局,旨在強化技術(shù)儲備并搶占市場先機。隨著快充技術(shù)的成熟以及電動汽車、人工智能機器人等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對更高功率、更低能耗的需求日益增長,氮化鎵器件正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件,在高價值應用場景中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)化潛力。

氮化鎵:第三代半導體的璀璨明星

氮化鎵作為第三代半導體的代表,以其獨特的物理和化學性質(zhì)脫穎而出。其高擊穿強度、快速開關(guān)速度、高效導熱性能、高電子漂移速度和遷移率,以及低導通電阻,共同構(gòu)成了氮化鎵在功率器件領域的核心競爭力。這些優(yōu)勢使得氮化鎵器件能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的散熱性能、降低能耗,并顯著縮小器件體積,從而在多個領域展現(xiàn)出廣闊的應用前景。

在制造方面,氮化鎵晶體可在藍寶石、碳化硅和硅等多種襯底上生長,特別是硅基氮化鎵外延層的生產(chǎn),能夠充分利用現(xiàn)有的硅制造設施,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率。這一特性為氮化鎵技術(shù)的普及和商業(yè)化應用奠定了堅實基礎。

并購潮起,行業(yè)整合加速

近年來,氮化鎵技術(shù)的價值日益凸顯,吸引了眾多半導體廠商的關(guān)注和投資。英飛凌、瑞薩電子、格芯等大廠紛紛通過并購方式,快速獲取氮化鎵技術(shù)專利和成熟產(chǎn)品,以加速自身在氮化鎵領域的布局。這些并購交易不僅增強了企業(yè)的技術(shù)實力和市場競爭力,還推動了氮化鎵技術(shù)的快速發(fā)展和商業(yè)化應用。

例如,英飛凌以8.3億美元收購加拿大GaN技術(shù)廠商GaN Systems,并計劃斥資20億歐元擴大氮化鎵和碳化硅芯片的產(chǎn)能;瑞薩電子則完成了對全球GaN功率半導體供應商Transphorm的收購,以滿足市場對寬禁帶半導體產(chǎn)品的日益增長需求;格芯則通過收購Tagore Technology的功率GaN技術(shù)及知識產(chǎn)權(quán)組合,拓寬了公司的電源IP產(chǎn)品組合。

市場前景廣闊,多領域全面開花

氮化鎵技術(shù)的廣泛應用前景得到了業(yè)界的廣泛認可。在智能手機、家電等消費電子市場領域,氮化鎵已經(jīng)擁有較高的滲透率,并正在加速向高功率的工業(yè)、服務器及汽車市場發(fā)展。特別是在生成式人工智能(AI)和電動汽車等新興領域,氮化鎵技術(shù)更是展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。

在AI服務器領域,高性能的AI服務器對電源功率密度和能效提出了更高要求。氮化鎵功率器件不僅能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率規(guī)格,還能減少功率轉(zhuǎn)換中的能耗,從而降低全球數(shù)據(jù)中心的能源浪費和碳排放。在人形機器人領域,氮化鎵技術(shù)能夠滿足電機驅(qū)動對高功率密度、高效率和快速響應速度的需求,推動人形機器人的發(fā)展。

在電動汽車領域,隨著汽車電動化、自動駕駛等技術(shù)的發(fā)展,對功率器件的轉(zhuǎn)換效率要求越來越高。雖然目前電動汽車大多在高壓場景下應用碳化硅器件,但氮化鎵在速率和效率方面的優(yōu)勢使其與碳化硅形成互補態(tài)勢。特別是在車載信息娛樂系統(tǒng)DC-DC轉(zhuǎn)換、無刷直流汽車電機、激光雷達和48V輕混動力汽車等領域,氮化鎵技術(shù)將發(fā)揮重要作用。

展望未來,氮化鎵技術(shù)將持續(xù)引領產(chǎn)業(yè)升級

隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和商業(yè)化應用的深入拓展,其市場前景將更加廣闊。據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Group預測,到2029年功率GaN市場規(guī)模將超過25億美元。面對這一巨大的市場機遇,氮化鎵廠商將繼續(xù)加大研發(fā)投入和市場拓展力度,通過技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級滿足市場需求。同時,行業(yè)內(nèi)的并購整合也將持續(xù)進行,推動氮化鎵產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和產(chǎn)業(yè)升級。

在本月底即將舉行的PCIM Asia 2024展會上,國內(nèi)外一線GaN廠商將匯聚一堂展示最新的產(chǎn)品組合和技術(shù)趨勢。這將為業(yè)界提供一個交流合作的平臺推動氮化鎵技術(shù)的進一步發(fā)展和應用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1915

    瀏覽量

    120146
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2385

    瀏覽量

    84485
  • 功率半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    23

    文章

    1496

    瀏覽量

    45274
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少?

    的平衡。 而基于此東科半導體此前已圍繞相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)展開詳細闡述,重點說明了其在效率表現(xiàn)、系統(tǒng)集成和方案落地等方面的技術(shù)優(yōu)勢。這也是 AHB 近年來在高功率密度適配器、快充電源等場景中持
    發(fā)表于 04-18 10:35

    意法半導體推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件

    從快充充電器到工業(yè)自動化,氮化正成為高功率密度電源設計的核心選擇。意法半導體近日推出四款全新VIPERGAN氮化
    的頭像 發(fā)表于 04-11 16:17 ?2664次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導體</b>推出四款全新VIPERGAN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>器件

    意法半導體推出氮化功率開關(guān)管半橋模塊MasterGaN6

    意法半導體推出了MasterGaN系列氮化功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6,該功率系統(tǒng)級封裝(SiP)在一個封裝內(nèi)集成新的B
    的頭像 發(fā)表于 03-20 15:44 ?1775次閱讀

    意法半導體氮化方案賦能高頻應用新場景

    快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化GaN)。作為寬禁帶半導體的典型代表,氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:15 ?806次閱讀

    CHA6154-99F三級單片氮化GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三級單片氮化GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級單片
    發(fā)表于 02-04 08:56

    CHA8107-QCB兩級氮化GaN)高功率放大器

    CHA8107-QCB兩級氮化GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款兩級
    發(fā)表于 12-12 09:40

    “芯”品發(fā)布|未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET,打破功率氮化能效天花板!

    在追求高效能、高可靠性功率半導體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)級功率半導體性能邊界 近日,
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:17 ?2072次閱讀

    GaN氮化)與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號

    一、GaN氮化)與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢對比 ? ? ? ?GaN氮化)屬于寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:23 ?5128次閱讀

    安森美推出垂直氮化功率半導體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化(vGaN)功率半導體,為相關(guān)應用的功率
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2357次閱讀

    新型功率半導體決勝關(guān)鍵:智威科技憑超高散熱封裝GaN氮化脫穎而出

    到元件制作的技術(shù)與應用均已突破,散熱及封裝型式問題仍導致應用效果遠不符產(chǎn)業(yè)期待,成長性大打折扣。 智威科技董事長鐘鵬宇說,透過材料與制程創(chuàng)新,以系統(tǒng)性思維打造功率半導體新封裝
    的頭像 發(fā)表于 10-26 17:36 ?1257次閱讀
    新型<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>決勝關(guān)鍵:智威科技憑超高散熱封裝<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>脫穎而出

    博世引領寬禁帶半導體技術(shù)革新

    隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進,半導體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是寬禁帶半導體材料,如碳化硅(SiC)和氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-24 09:47 ?1017次閱讀

    如何在開關(guān)模式電源中運用氮化技術(shù)

    LTspice?作為合適的工具鏈來使用,以便成功部署GaN開關(guān)。 引言 氮化(GaN)是一種III-V族半導體,為開關(guān)電模式電源(SMPS
    發(fā)表于 06-11 10:07

    基于芯干線氮化與碳化硅的100W電源適配器方案

    半導體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應用于集成電路、消費電子及工業(yè)設備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化GaN
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:33 ?3128次閱讀
    基于芯干線<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>與碳化硅的100W電源適配器方案

    納微半導體雙向氮化開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?3153次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關(guān)深度解析

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代
    發(fā)表于 05-19 10:16