信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓，加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長的300毫米（即12英寸）晶圓，標志著公司在高性能半導(dǎo)體材料領(lǐng)域邁出了堅實的一步。此次推出的QST 300mm晶圓，憑借其獨特的熱膨脹系數(shù)（CTE）與GaN材料完美匹配，有效解決了外延層在生長過程中可能出現(xiàn)的翹曲和裂紋問題，顯著提升了產(chǎn)品的良率和可靠性。
此前，信越化學(xué)已在市場上成功推廣了150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）的QST襯底及其上的GaN外延產(chǎn)品，贏得了業(yè)界的廣泛認可。此次12英寸GaN晶圓的推出，不僅進一步豐富了公司的產(chǎn)品線，也為全球GaN器件制造商提供了更大尺寸、更高質(zhì)量的材料選擇，有望推動GaN技術(shù)在電力電子、無線通信等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
336文章
29564瀏覽量
252004 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2277瀏覽量
78562 -
信越化學(xué)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
3瀏覽量
1356
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
重大突破！12 英寸碳化硅晶圓剝離成功，打破國外壟斷！
9月8日消息，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了
12英寸碳化硅襯底，會顛覆AR眼鏡行業(yè)？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年以來，各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進12
晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠
高品質(zhì)的 12 英寸 SiC 晶錠，這一成果標志著晶越半導(dǎo)體正式邁入
不同晶圓尺寸清洗的區(qū)別
不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4
簡單認識晶圓減薄技術(shù)
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓
中微公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona
在SEMICON China 2025展會期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
突出表現(xiàn)的半導(dǎo)體企業(yè)。以下是基于技術(shù)創(chuàng)新、市場地位及發(fā)展?jié)摿C合評估的十家最值得關(guān)注的半導(dǎo)體芯片公司（按領(lǐng)域分類）：
1. 芯馳科技（SemiDrive）
領(lǐng)域 ：車規(guī)級主控芯片
亮點 ：專注于智能
發(fā)表于 03-05 19:37
尋求6寸8寸晶圓打包發(fā)貨紙箱廠家
大家元宵節(jié)快樂！
半導(dǎo)體新人，想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨，主要是6寸和8寸晶
發(fā)表于 02-12 18:04
半導(dǎo)體晶圓制造工藝流程
半導(dǎo)體晶圓制造是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它是整個電子行業(yè)的基礎(chǔ)。這項工藝的流程非常復(fù)雜，包含了很多步驟和技術(shù)，下面將詳細介紹其主要的制造工藝流程。第一步：
天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用
，但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開始研發(fā)基于8英寸SiC晶圓的下一代器件和芯片。 近日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團隊聯(lián)合廣州南砂晶
碳化硅襯底，進化到12英寸！
人沒想到的是，在8英寸碳化硅還遠未大規(guī)模落地時，12英寸碳化硅襯底就已經(jīng)悄然面世。 ? 天岳先進發(fā)布300mm 碳化硅襯底 ? 在上周的德國慕尼黑半導(dǎo)體展上，天岳先進發(fā)布了行業(yè)首款30
三菱電機供應(yīng)12英寸功率半導(dǎo)體芯片
三菱電機集團近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅（Si）晶圓制造的功率半導(dǎo)體
氮化鎵晶圓在劃切過程中如何避免崩邊
半導(dǎo)體市場的發(fā)展。氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，12英寸氮化鎵技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸
信越化學(xué)進軍半導(dǎo)體制造設(shè)備！擬開發(fā)不需中介層的新封裝技術(shù)
據(jù)報道，全球硅晶圓第一大生產(chǎn)商信越化學(xué)（Shin-Etsu Chemical）計劃推出
使用0.5英寸晶圓的代工廠
用電源。 使用超小型半導(dǎo)體制造設(shè)備的光刻工藝演示 眾所周知，半導(dǎo)體制造通常需要巨大的工廠和潔凈室來大規(guī)模生產(chǎn) 12 英寸晶
工商網(wǎng)監(jiān)
評論