chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動(dòng)行業(yè)變革

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2024-09-13 08:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

憑借這一突破性的300mm GaN技術(shù),英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長

利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施,英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率

300mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平

英飛凌科技股份公司今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)突破將極大地推動(dòng)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。相較于200mm晶圓,300mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn),也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大,每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了2.3倍,效率也顯著提高。

b896f09a-7163-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg

300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓

基于GaN的功率半導(dǎo)體正在工業(yè)、汽車、消費(fèi)、計(jì)算和通信應(yīng)用中快速普及,包括AI系統(tǒng)電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機(jī)控制系統(tǒng)等。先進(jìn)的GaN制造工藝能夠提高器件性能,為終端客戶的應(yīng)用帶來諸多好處,包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外,憑借可擴(kuò)展性,300mm制造工藝在客戶供應(yīng)方面具有極高的穩(wěn)定性。

b8c34e74-7163-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg

Jochen Hanebeck

英飛凌科技首席執(zhí)行官

這項(xiàng)重大成功是英飛凌的創(chuàng)新實(shí)力和全球團(tuán)隊(duì)努力工作的結(jié)果,進(jìn)一步展現(xiàn)了我們?cè)贕aN和功率系統(tǒng)領(lǐng)域創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位。這一技術(shù)突破將推動(dòng)行業(yè)變革,使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購GaN Systems近一年后,我們?cè)俅握宫F(xiàn)了在快速增長的GaN市場(chǎng)成為領(lǐng)導(dǎo)者的決心。作為功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌掌握了全部三種相關(guān)材料,即:硅、碳化硅和氮化鎵。

b91766bc-7163-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck

英飛凌已在其位于奧地利菲拉赫(Villach)的功率半導(dǎo)體晶圓廠中,利用現(xiàn)有300mm硅生產(chǎn)設(shè)備的整合試產(chǎn)線,成功地生產(chǎn)出300mm GaN晶圓。英飛凌正通過現(xiàn)有的300mm硅和200mm GaN的成熟產(chǎn)能發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),同時(shí)還將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)一步擴(kuò)大GaN產(chǎn)能。憑借300mm GaN制程技術(shù),英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)的不斷增長。據(jù)估計(jì),到2030年末,GaN市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到數(shù)十億美元。

b944c95e-7163-11ef-bb4b-92fbcf53809c.jpg

英飛凌位于奧地利菲拉赫(Villach)的功率半導(dǎo)體晶圓廠

這一開創(chuàng)性的技術(shù)成就彰顯了英飛凌在全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。英飛凌正通過布局300mm GaN技術(shù),打造更具成本效益價(jià)值、能夠滿足客戶系統(tǒng)全方位需求的產(chǎn)品,以加強(qiáng)現(xiàn)有解決方案并使新的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域成為可能。2024年11月,英飛凌將在慕尼黑電子展(electronica)上向公眾展示首批300mm GaN晶圓。

由于GaN和硅的制造工藝十分相似,因此300mm GaN技術(shù)的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的300mm硅制造設(shè)備。英飛凌現(xiàn)有的大批量300mm硅生產(chǎn)線非常適合試產(chǎn)可靠的GaN技術(shù),既加快了實(shí)現(xiàn)的速度,又能夠有效利用資本。300mm GaN的全規(guī)?;a(chǎn)將有助于實(shí)現(xiàn)GaN與硅的成本在同一RDS(on)級(jí)別能夠接近,這意味著同級(jí)的硅和GaN產(chǎn)品的成本將能夠持平。

300mm GaN是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位的又一里程碑,將助推英飛凌低碳化和數(shù)字化使命的達(dá)成。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2404

    瀏覽量

    141860
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29564

    瀏覽量

    251984
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    63

    文章

    1834

    瀏覽量

    118899
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    英飛凌12英寸氮化晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌,四季度可交付樣品

    7 月 5 日消息,英飛凌德國當(dāng)?shù)貢r(shí)間 7 月 3 日宣布,其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌,首批樣品將于 2025 年第四季度向客戶提供。
    的頭像 發(fā)表于 07-07 18:10 ?3760次閱讀

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?1694次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關(guān)深度解析

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代
    發(fā)表于 05-19 10:16

    氮化技術(shù)再突破!英飛凌重磅發(fā)布新品,助力人形機(jī)器人能效革新

    電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月14日,在英飛凌ICIC峰會(huì)上,英飛凌首次在國內(nèi)展示英飛凌發(fā)布兩項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新,分別是
    的頭像 發(fā)表于 03-20 00:10 ?2412次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>再突破!<b class='flag-5'>英飛凌</b>重磅發(fā)布新品,助力人形機(jī)器人能效革新

    芯向未來 ,2025 英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦

    國內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化功率半導(dǎo)體
    發(fā)表于 03-17 16:08 ?454次閱讀
    芯向未來 ,2025 <b class='flag-5'>英飛凌</b>消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦

    納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

    唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者—
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:49 ?2478次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>發(fā)布雙向GaNFast<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片

    納微半導(dǎo)體氮化和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?950次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和碳化硅<b class='flag-5'>技術(shù)</b>進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大
    發(fā)表于 01-15 16:41

    英諾賽科香港上市,國內(nèi)氮化半導(dǎo)體第一股誕生

    專注于第三代半導(dǎo)體氮化研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),自成立以來,始終致力于推動(dòng)氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:36 ?1064次閱讀

    英飛凌全新一代氮化產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢(shì)。英飛凌長期深耕氮化領(lǐng)域,再次推動(dòng)氮化革命,
    的頭像 發(fā)表于 12-06 01:02 ?1180次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>全新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效

    已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球300mm氮化(GaN)功率
    的頭像 發(fā)表于 10-31 08:04 ?728次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>推出<b class='flag-5'>全球</b>最薄硅<b class='flag-5'>功率</b>晶圓,突破<b class='flag-5'>技術(shù)</b>極限并提高能效

    英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率

    先進(jìn)的無線功率解決方案,為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 英飛凌CoolGaN? GS61008P 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 17:50 ?738次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b>攜手AWL-Electricity通過<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>優(yōu)化無線<b class='flag-5'>功率</b>

    德州儀器氮化功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大幅提升

    近日,美國芯片大廠德州儀器(TI)宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化(GaN)的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:57 ?1059次閱讀

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測(cè)試

    氮化(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?1356次閱讀
    遠(yuǎn)山<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的耐高壓測(cè)試

    氮化晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開發(fā)全球款12英寸(300mm功率
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?2000次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓在劃切過程中如何避免崩邊