三星調整晶圓代工策略，聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調整了其晶圓代工產(chǎn)能擴充計劃，決定暫緩平澤P4工廠的進一步擴建，轉而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調整反映了三星對當前市場需求的精準把握與未來技術趨勢的深刻洞察。
據(jù)悉，三星已暫停平澤P4工廠第二期晶圓代工生產(chǎn)線的建設，而NAND Flash的P4一期產(chǎn)線則即將投產(chǎn)，三期產(chǎn)線也在緊鑼密鼓地建設中，預計中秋節(jié)后將進入設備安裝階段。此舉不僅彰顯了三星在NAND Flash領域的持續(xù)投入與領先地位，也為其在HBM等高端存儲市場的布局奠定了堅實基礎。
同時，業(yè)界還傳出消息，三星位于美國德州泰勒的晶圓代工工廠設備投資計劃也將推遲一個季度，進一步體現(xiàn)了三星在產(chǎn)能布局上的謹慎態(tài)度與靈活應變能力。
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