01半導體

全球半導體銷售額經(jīng)歷了2000年時2000億美元，2010年3000億美元的臺階之后，2017年可能站上4000億美元。

據(jù)SIA于2017年3月的統(tǒng)計，全球半導體業(yè)于2010-2016年間的年均增長率(CAGR)小於2.5%。

不容懷疑導致今年全球半導體業(yè)火紅的最主要因素是趕上存儲器價格的暴漲，三季度結束時，IC Insights在最新報告中預測2017年全球半導體產(chǎn)業(yè)將增長20%，而Gartner于10月16日預測，2017年半導體的銷售額將增長19.7%，將達到4110億美元。

IC Insight于今年3月曾預測2017全球半導體業(yè)增長11%，而至10月時修正為增長22%。對于IC出貨量(unit)在年中時曾預測增長11%，而10月時修正為14%。

IC Insight預測2017年DRAM的平均銷售價格(ASP)增長77%，導致今年DRAM銷售額增長74%，這是自1994年增長78%以來的最高值。而對于NAND閃存，它的ASP增長38%，導致2017年銷售額增長44%。預計全球存儲器增長58%，以及2018年再增長11%。

IC Insights 預估，2017年DRAM 市場銷售額將達720 億美元，成為今年半導體產(chǎn)業(yè)中最大產(chǎn)品，大幅超越FLASH 市場498 億美元約220 億美元。由于今年存儲器的成長率強勁，2017年半導體銷售額增長22 %，其中存儲器便占13 個百分點，如果扣除DRAM 與FLASH的增長率，2017年半導體銷售額僅成長9%，明顯不足整體銷售額成長率22% 的一半。

據(jù)SIA的 2015年資料，全球IC的平均銷售價格(ASP)由1995年的0.65美元，到2015年時己下降到約0.45美元，中間雖有起伏，但是總的趨勢是下降的。所以此次存儲器價格的暴漲有它的偶然性方面。

02代工Foundry

自半導體工藝制程進入28納米之后，產(chǎn)業(yè)發(fā)生了一個根本性的轉(zhuǎn)變。也即尺寸縮小來推動產(chǎn)業(yè)呈定律模式的進步開始遲緩，導致眾多頂級IDM廠開始擁抱代工，而不再繼續(xù)大幅度的投資跟蹤定律。

在此轉(zhuǎn)換時刻，全球代工業(yè)得到迅速的增長，讓臺積電獲得更大的收益。業(yè)界認為，除了有素質(zhì)高、優(yōu)秀的人才，及獨特的代工服務模式之外，它的業(yè)務專注應是臺積電成功的一大關鍵。

不少企業(yè)隨著規(guī)模擴大，往往會從事延伸的投資，臺積電則是始終專注晶圓代工本業(yè)。

臺積電在它的今年Q3法說上認為行動裝置、AI人工智能、智能汽車和物聯(lián)網(wǎng)四大領域，將是未來十年支撐臺積電持續(xù)穩(wěn)坐晶園代工龍頭的四根大柱。

據(jù)Digitimes Research的研究，在2017年至2022年期間，因智能手機搭載IC數(shù)量增加與對先進制程需求提升，加上包括IoT、AR/VR、汽車電子、高效能電算市場都有機會在未來5年進入成長期，預測2017年全球代工增長6%，達到557億美元，而至2022年時將達746.6億美元，2017年至2022年復合成長率(CAGR)將為6%。2017年臺積電預估增長7%, 及它的市占率達56%。

由于全球代工獲利豐厚，而幾乎由臺積電獨享，導致三星，英特爾等眼紅，紛紛涉足代工，而且聲勢都很高，所以全球代工，尤其是高端代工大戰(zhàn)在即。

然而張忠謀認為三星和英特爾兩家各自有長處，也各自有缺點，三星的長處是非常有決心、非常有毅力，一旦決定要做什么事，最高階層決定后，整個公司是拼命執(zhí)行，這是很了不起的一個組織，高階一旦決定下令，全體就會凝聚在一起把目標達成，三星已經(jīng)證明很多次了。

英特爾的長處是有很豐厚的技術及經(jīng)營基礎，好幾十年來都是全球半導體產(chǎn)業(yè)第一名，英特爾最大的缺點是在Foundry產(chǎn)業(yè)沒有經(jīng)驗，因為這個行業(yè)的企業(yè)文化是很重要的，F(xiàn)oundry是「服務」的企業(yè)文化，意即是服務別的公司，但英特爾的技術部門長期以來都是服務自己，這與真正的Foundry文化是徹底不同的。

03編后記

產(chǎn)業(yè)周期性下降不可避免

由于供需關系的不斷改變，只能是動態(tài)平衡，估計未來半導體業(yè)的周期性下降不可避免，差別在于峰谷值的大小。未來有三個方面因素：首先是此次由于存儲器的平均售價大漲，導致三星、美光等利益豐厚，必然招致產(chǎn)能擴充過剩，再加上中國還有三家存儲器新進者的加入。業(yè)界普遍預測存儲器的價格持續(xù)上升可能性并不大，會受到終端電子產(chǎn)品的報復，所以預測在2019年時可能會進入下降時段。另一個因素是新興技術，包括如EUV光刻設備導入，2D NAND轉(zhuǎn)為3D NAND及DRAM的堆疊技術，以及工藝制程進入5納米與以下等都有相當大的技術壁壘，推進速度一定比預期的緩慢。最后一個關鍵因素，終端電子產(chǎn)品不可能再找到如手機那樣，單一品種，數(shù)量達10億個以上，未來的物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、及自動駕駛等產(chǎn)品市場都較為分散，或者如汽車電子，對于可靠性要求 極高，以及產(chǎn)品的認證周期很長。

另外，據(jù)預測全球半導體業(yè)在2016 to 2021年期間的年均增長率(CAGR)為4-5%，高于同期的GDP。

中國半導體業(yè)的投資速率會比預期緩慢

據(jù)SEMI統(tǒng)計，近期中國半導體業(yè)至少有15個fab新建項目，至2018年時有可能半導 體投資達到120億美元，居全球的前列。但是相信未來中國半導體投資的變數(shù)多，決定于先進工藝制程及存儲器產(chǎn)品的突破進程，從大概率的分析，由于受先進工藝制程技術的限制，產(chǎn)能的爬坡速率不會太快，即“有效的產(chǎn)能”(能真正產(chǎn)生銷售額的產(chǎn)能)暫時不可能太大，所以估計2019年，甚至2020年的投資速率會比預期緩慢，金額會比預測值小些，能達到50-70%，已是相當?shù)牟诲e。

莫大康：浙江大學校友，求是緣半導體聯(lián)盟顧問。親歷50年中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程的著名學者、行業(yè)評論家。