來源：SEMI China SEMI

美國加州時間2024年9月26日，SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報告（300mm Fab Outlook Report to 2027）》指出，從2025年到2027年，全球300mm晶圓廠設備支出預計將達到創(chuàng)紀錄的4000億美元。強勁的支出是由半導體晶圓廠的區(qū)域化以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設備對人工智能（AI）芯片日益增長的需求推動的。

2024年，全球300mm晶圓廠設備支出預計將增長4%，達到993億美元，到2025年將進一步增長24%，首次突破1000億美元，達到1232億美元。預計2026年支出將增長11%，達到1362億美元，2027年將增長3%，達到1408億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2025年全球300mm晶圓廠設備支出的預期增長幅度為創(chuàng)紀錄的三年半導體制造投資奠定了基礎。全球芯片需求正在推動設備支出，包括人工智能應用的前沿技術和由汽車和物聯(lián)網(wǎng)應用驅動的成熟技術?！?/p>

區(qū)域增長

預計到2027年，中國將保持其作為全球300mm設備支出第一的地位，未來三年將投資超過1000億美元。然而，預計投資將從2024年的450億美元峰值逐漸減少到2027年的310億美元。

預計韓國將排名第二，未來三年將投資810億美元，以進一步鞏固其在DRAM、HBM和3D NAND等存儲領域的主導地位。預計中國臺灣地區(qū)未來三年將投資750億美元，位居第三，因為該地區(qū)的芯片制造商將在海外建造一些新的晶圓廠，3納米以下是其投資的主要驅動力。

從2025年到2027年，美洲地區(qū)預計投資630億美元，而日本、歐洲和中東以及東南亞預計將在三年內分別投資320億美元、270億美元和130億美元。值得注意的是，由于旨在緩解對關鍵半導體供應擔憂的政策激勵措施，預計2027年這些地區(qū)的設備投資將比2024年增加一倍以上。

領域增長

2025年至2027年間，F(xiàn)oundry設備支出預計將達到約2300億美元，這得益于對先進節(jié)點的投資以及對成熟節(jié)點的持續(xù)支出。對2nm工藝的投資和2nm關鍵技術的開發(fā)，如全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管結構和背面功率傳輸技術，對于滿足未來高性能和節(jié)能計算需求至關重要，特別是對于人工智能應用。由于對汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)應用的需求不斷增加，在成本效益高的22nm和28nm工藝上有望實現(xiàn)增長。

Logic和Micro領域預計將在未來三年率先擴大設備支出，預計總投資為1730億美元。Memory位居第二，預計同期將貢獻超過1200億美元的支出，標志著另一個細分市場增長周期的開始。在Memory領域，DRAM相關設備的投資預計將超過750億美元，而3D NAND的投資預計達到450億美元。

Power相關領域排名第三，預計未來三年投資將超過300億美元，其中化合物半導體項目投資約140億美元。同期，模擬和混合信號領域預計將達到230億美元，其次是光電/傳感器，為128億美元。

作為SEMI Fab Forecast數(shù)據(jù)庫的一部分，SEMI《300mm晶圓廠2027年展望報告》列出了全球420座設施和生產(chǎn)線，其中包括預計高概率將在2024年開始的未來四年內開始運營的79座設施。該報告反映了自上次2024年6月發(fā)布以來的169次更新和9個新的晶圓廠/生產(chǎn)線項目。

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審核編輯 黃宇