12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開(kāi)。此次評(píng)審會(huì)包含《碳化硅單晶》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測(cè)方法》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。

會(huì)議由寬禁帶聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)陸敏博士主持，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉忠立教授、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司常務(wù)副總彭同華博士、北京三平泰克科技有限責(zé)任公司常務(wù)副總鄭紅軍、中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇博士、東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)部經(jīng)理張新河博士、中國(guó)科學(xué)院電工研究所實(shí)驗(yàn)室技術(shù)負(fù)責(zé)人張瑾、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所副研究員許恒宇博士、北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限公司W(wǎng)BG事業(yè)部副總經(jīng)理鮑慧強(qiáng)博士、北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司課題組長(zhǎng)何麗娟、北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)中心主任劉春俊博士、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院高級(jí)開(kāi)發(fā)工程師鈕應(yīng)喜、瀚天天成電子科技（廈門(mén)）有限公司質(zhì)量部副經(jīng)理陳志霞等寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)委員及團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)參與單位代表參加了本次會(huì)議。

參會(huì)人員合影

評(píng)審會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)2017年下半年共收到來(lái)自北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、瀚天天成電子科技（廈門(mén)）有限公司、中國(guó)科學(xué)院電工研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院四個(gè)牽頭單位團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定申請(qǐng)。12月11日上午，各申請(qǐng)單位代表對(duì)送審稿的主要內(nèi)容進(jìn)行了詳細(xì)介紹，與會(huì)專(zhuān)家進(jìn)行了逐條討論，從引用文件、術(shù)語(yǔ)定義、技術(shù)要求和試驗(yàn)方法等給予了各單位中肯的建議，最后與會(huì)專(zhuān)家一致同意以下4項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿通過(guò)審定：（1）《碳化硅單晶》（牽頭起草單位：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司）；（2）《碳化硅外延片表面缺陷測(cè)試方法》（牽頭起草單位：全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院）；（3）《碳化硅外延層載流子濃度測(cè)定-汞探針電容-電壓法》（牽頭起草單位：中國(guó)科學(xué)院電工研究所）；（4）《電動(dòng)汽車(chē)用功率半導(dǎo)體器件可靠性試驗(yàn)通用要求及試驗(yàn)方法》（牽頭起草單位：瀚天天成電子科技（廈門(mén)）有限公司）。與會(huì)代表建議起草單位吸收本次會(huì)議專(zhuān)家的修改意見(jiàn)后盡快形成報(bào)批稿，上報(bào)寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)秘書(shū)處審批，作為聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)頒布實(shí)施。

參會(huì)代表發(fā)言

截至2017年12月11日，2017年立項(xiàng)的4項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)起草單位都已在規(guī)定時(shí)間內(nèi)向?qū)捊麕?lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)提交了標(biāo)準(zhǔn)草案。12月11日下午，寬禁帶聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)組織專(zhuān)家討論了此4項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案：《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測(cè)方法》、《碳化硅單晶拋光片位錯(cuò)密度測(cè)試方法》、《6英寸碳化硅單晶拋光片》、《4H碳化硅同質(zhì)外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法》。與會(huì)專(zhuān)家對(duì)4項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)草案的內(nèi)容進(jìn)行了逐條討論，從標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍、術(shù)語(yǔ)定義到標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)、內(nèi)容、格式等提出了許多科學(xué)合理、嚴(yán)謹(jǐn)專(zhuān)業(yè)的建議，各標(biāo)準(zhǔn)起草單位代表認(rèn)真聽(tīng)取并采納了專(zhuān)家的建議。針對(duì)本次討論會(huì)的建議，各起草單位表示將進(jìn)一步修改和完善標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，盡快形成征求意見(jiàn)稿，按照標(biāo)準(zhǔn)制定工作計(jì)劃進(jìn)度要求，有條不紊地推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)工作，以制訂出高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)業(yè)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，響應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化改革方案，為推進(jìn)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)事業(yè)做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。