chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-10-08 15:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場帶來了更加高效的解決方案。

這兩款產(chǎn)品的型號分別為RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A),均采用了先進(jìn)的DFN5060封裝技術(shù)。通過采用先進(jìn)的制造工藝,這兩款MOSFET產(chǎn)品實現(xiàn)了超低導(dǎo)通電阻,從而大幅提升了電路的效率。

RUH4040M-B和RUH4080M-B不僅具備出色的性能表現(xiàn),還具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。它們能夠在高電壓、大電流的環(huán)境下穩(wěn)定工作,為客戶的電路設(shè)計提供了更加可靠的選擇。

銳駿半導(dǎo)體一直致力于為客戶提供高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品,此次發(fā)布的兩款超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,再次展示了其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新能力和技術(shù)實力。相信這兩款產(chǎn)品的推出,將為客戶帶來更加高效、可靠的解決方案,推動相關(guān)行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8611

    瀏覽量

    220457
  • 導(dǎo)通電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    390

    瀏覽量

    20213
  • 銳駿半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    4

    瀏覽量

    2008
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

    在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域,MOSFET導(dǎo)通損耗與動態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG0
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:37 ?330次閱讀
    辰達(dá)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出<b class='flag-5'>全新</b>PowerTrench <b class='flag-5'>MOSFET</b> MDDG03R01G

    MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

    導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映
    的頭像 發(fā)表于 05-26 15:09 ?1133次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>參數(shù)解讀

    MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

    在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(3
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:04 ?357次閱讀
    MDD辰達(dá)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出<b class='flag-5'>全新</b>SGT系列<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻,助力通信基站高效節(jié)能

    隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級,高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù),全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:33 ?442次閱讀
    【KUU重磅<b class='flag-5'>發(fā)布</b>】2款100V耐壓雙<b class='flag-5'>MOSFET</b>以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及<b class='flag-5'>超低</b><b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>,助力通信基站高效節(jié)能

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象給中國功率半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘

    、市場生態(tài)和政策四個維度進(jìn)行深度分析: 一、技術(shù)隱患:部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商可靠性危機(jī)與研發(fā)短視 柵氧可靠性設(shè)計缺陷 部分國產(chǎn)SiC MOSFET廠商為降低成本,在工藝能力受限的情況下追求導(dǎo)通電阻和比
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:15 ?463次閱讀

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長期損害終
    的頭像 發(fā)表于 03-17 16:40 ?395次閱讀
    國產(chǎn)碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>“最低比<b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源,開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:08 ?651次閱讀
    ROHM推出<b class='flag-5'>超低</b><b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>和超寬SOA范圍的Nch功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    導(dǎo)通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺解析

    ,Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡化大功率設(shè)計中常見的開關(guān)行為和設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計,并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降,開關(guān)損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC
    發(fā)表于 02-13 00:21 ?991次閱讀

    SGT MOSFET的優(yōu)勢解析

    SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場,可以進(jìn)一步減小
    的頭像 發(fā)表于 01-22 13:55 ?2846次閱讀
    SGT <b class='flag-5'>MOSFET</b>的優(yōu)勢解析

    SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計

    碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開
    的頭像 發(fā)表于 10-16 13:52 ?5339次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計

    駿新款超低導(dǎo)通MOSRUH4040M、80M更適用于新產(chǎn)品研發(fā)

    駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo)
    發(fā)表于 10-14 09:40

    駿200V低壓和600V高壓MOS對于電機(jī)控制和電源管理

    電機(jī)控制 駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術(shù),全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性,同時降低了器件的特征導(dǎo)
    發(fā)表于 09-23 17:07

    MOSFET導(dǎo)通電壓的測量方法

    MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:19 ?2156次閱讀

    駿半導(dǎo)體澄清聲明及祝賀??诜鉁y基地正式通線

    近日,駿半導(dǎo)體海南??诰C保區(qū)封測基地正式舉行通線儀式。近年來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深受國家重視,中國正致力于構(gòu)建和完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,包括原材料供應(yīng)、
    的頭像 發(fā)表于 07-31 11:13 ?934次閱讀

    MOS管導(dǎo)通電壓和溫度的關(guān)系

    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通電壓與溫度之間存在著復(fù)雜而重要的關(guān)系。這種關(guān)系不僅
    的頭像 發(fā)表于 07-23 11:44 ?6587次閱讀